3 単一走行キャリア・フォトダイオード
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
古田 知史
NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
清水 直文
NTTフォトニクス研究所
-
古田 知史
Ntt フォトニクス研
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
関連論文
- UTC-PDと集積化可能なTHz帯動作InP系ショットキーバリアダイオード(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- ミリ波帯光・電子デバイスとその無線・センシングシステムへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-14-7 100-800 GHz 帯フォトニックエミッタの出力測定
- ミリ波サブキャリア光の検波実験
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅技術を用いた20.4Tb/s (204 x 111Gb/s)大容量伝送実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbit/s光通信用 Digital OEIC
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-14-4 フォトダイオードをダウンコンバータに利用した300GHz帯ホモダイン検波システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- B-10-47 CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた55波×86Gbit/s、375km伝送実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-14-9 インコヒーレントノイズ源を用いたミリ波イメージングシステム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-3 フォトニクス技術を用いた300 GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-5 Photonic generation of sub-terahertz wave with improved spurious characteristics
- C-14-1 屋外伝送実験に向けた120 GHz帯ミリ波無線の開発(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- B-5-146 60GHz帯ファイバ無線用モノリシック集積化ミリ波エミッター
- PBC-1-4 フォトニック・マイクロ/ミリ波ソース
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-14-9 モード同期レーザと符号化用EA変調器をモノリシック集積した光ミリ波送信器(C-14. マイクロ波フォトニクス, エレクトロニクス1)
- C-14-10 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いたTHz波の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス)
- テラヘルツ帯遠隔分光センシングシステム (テラヘルツ技術特集) -- (委託研究)
- 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅技術を用いた20.4Tb/s (204 x 111Gb/s)大容量伝送実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅技術を用いた20.4Tb/s (204 x 111Gb/s)大容量伝送実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 超高速40Gbit/s半導体光変調器(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-41 40Gbit/s InP系n-i-n構造MZ変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-24 半導体モード同期レーザを用いた160GHz光クロック信号再生(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効果と高周波応答
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
- ファイバ中で発生するSC光を用いて評価したInP/InGaAs UTC-PDの1.55-1.7μmでの量子効率
- 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いた識別回路直接駆動型40Gbit/s高感度受信回路
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- B-10-38 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅器を用いた20.4Tb/s(204×111Gb/s)大容量伝送実験(B-10.光通信システムA(線路),一般講演)
- B-10-57 111GB/s/ch CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた14Tb/s伝送実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
- 111 Gb/s/ch CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた14Tb/s大容量伝送実験((フォトニック)IPネットワーク技術,(光)ノード技術,WDM技術,一般)
- 111Gb/s/ch CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた14Tb/s大容量伝送実験
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-29 単一走行キャリア端面人射屈折型フォトダイオードの偏波無依存化
- 光通信技術の基礎--原点を見直し,将来を考える(第3回)フォトダイオード--研究開発の歴史と今後の展開
- C-3-124 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別回路からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- C-2-17 改良型LOXI-FETによるGaAs MMICスイッチの検討
- C-4-12 InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの高周波特性から求めた光吸収層内での電子拡散係数
- モノリシック集積化フォトニックエミッタによる >100 GHzミリ波の発生
- モノリシック集積化フォトニックエミッタによる >100 GHzミリ波の発生
- バランス型フォトダイオードモジュール技術 (特集 フォトニックネットワーク用デバイスの最新技術動向)
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
- 半導体モード同期レーザの再生モード同期を用いた160Gbit/s信号からの80GHz光クロック信号再生(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 半導体モード同期レーザの再生モード同期を用いた160Gbit/s信号からの80GHz光クロック信号再生(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 160GHzアクティブモード同前半導体レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- C-4-39 160GHz アクティブモード同期半導体レーザ
- C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- B-10-120 モノリシック集積化 PD-EAM による光サンプリング
- 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いたミリ波・サブミリ波発生技術 (特集 フォトニクス技術の電波天文観測機器への応用)
- 3 単一走行キャリア・フォトダイオード
- 3 単一走行キャリア・フォトダイオード
- n-i-n構造マッハツェンダ光変調器の開発
- 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- 超広帯域光送受信デバイス (特集論文 テラビット通信技術への挑戦)
- AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポ-ラトランジスタ (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 低温ウェーハボンディングとその超高速デバイスへの応用
- 単一走行キャリア・フォトダイオード
- ED2012-107 サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)