C-14-1 屋外伝送実験に向けた120 GHz帯ミリ波無線の開発(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-08
著者
-
菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
枚田 明彦
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
枚田 明彦
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
永妻 忠夫
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
-
古田 知史
NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
東京大学大学院農学生命科学研究科
-
古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
高橋 宏行
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
永妻 忠夫
大阪大学大学院 基礎工学研究科
-
高橋 宏行
日本電信電話株式会社
-
山口 良一
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
佐藤 康博
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
永妻 忠夫
大阪大学大学院基礎工学研究科:日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
枚田 明彦
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
枚田 明彦
日本電信電話(株) Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
古田 知史
Ntt フォトニクス研
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社
-
小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
関連論文
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器(集積エレクトロニクス)
- ミリ波帯光・電子デバイスとその無線・センシングシステムへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)を用いたミリ波・テラヘルツ波の発生と応用
- UTC-PDによるテラヘルツ波の発生と応用
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-25 UTC-PDと半導体MZ変調器を集積したPD-MZ光ゲート素子の提案と高速光ゲート動作の実現(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 120GHz帯10Gbti/s無線伝送用BPSK変復調MMIC(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速フォトダイオードを利用したミリ波帯フォトニック発振器
- C-14-7 100-800 GHz 帯フォトニックエミッタの出力測定
- 感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線
- C-2-20 120GHz帯10Gbit/sデータ伝送用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-95 HEMT MMICを使用した120GHz帯ミリ波無線による10Gbit/sデータ伝送(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- C-10-16 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック分周器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-18 130GHz帯アンテナ一体型ミリ波イメージングMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-2-7 F帯ミリ波無線受信機用チューナブルフィルタ(CS-2.可変マイクロ波回路,シンポジウム)
- C-14-16 120GHz帯ミリ波無線の伝送特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- R&Dホットコーナー 120GHz帯無線データ通信へ向けたミリ波集積回路技術
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信
- C-14-6 共振型フォトダイオードのEOS測定
- C-2-26 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-134 120 GHz帯ミリ波無線の降雨減衰特性(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- CI-1-6 120GHz帯無線リンクとモジュール技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-2-85 120GHz帯無線の偏波多重通信に向けた基礎検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- C-14-5 Photonic generation of sub-terahertz wave with improved spurious characteristics
- CS-11-2 ミリ波・テラヘルツ波無線通信の最近の動向(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- C-14-1 屋外伝送実験に向けた120 GHz帯ミリ波無線の開発(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
- C-2-53 イメージング用120GHz帯モノリシック集積型アンテナアレー(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- C-2-25 デバイスレベル負帰還回路を用いたマイクロ波帯低歪みパワーFET
- B-5-255 高出力増幅器におけるOFDM変調波入力時の歪特性とIM3/IM5の相関に関する一検討
- 0.1μmゲートInP HEMTによるミリ波アクティブ集積アンテナ発振回路(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CS-10-3 ミリ波応用に向けたInP HEMT技術(CS-10.ミリ波・サブミリ波信号検出技術の現状と展開,シンポジウム)
- タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上
- C-10-12 0.1μmゲートInP系HEMTによる111GHzアクティブ集積アンテナ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-14-15 光・ミリ波エミッタモジュールを用いた60GHz帯PSKサブキャリア伝送
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-14-9 モード同期レーザと符号化用EA変調器をモノリシック集積した光ミリ波送信器(C-14. マイクロ波フォトニクス, エレクトロニクス1)
- 160GHzアクティブモード同期半導体レーザーとその光クロック信号再生への応用
- 5-2 単一走行キャリヤフォトダイオード(UTC-PD)の実装技術(5. 光デバイス)(日本のモノづくりを支えるJisso技術)
- PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- C-14-10 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いたTHz波の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス)
- CS-3-2 140GHz帯ミリ波イメージング装置(CS-3.環境・エネルギー分野の発展に貢献するマイクロ波技術,シンポジウムセッション)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 選択W-CVDプロセスを導入した完全空乏型極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイLSI
- B-5-124 120GHz帯無線による10Gbit/sデータの5km伝送(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)
- C-4-24 半導体モード同期レーザを用いた160GHz光クロック信号再生(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- B-5-224 60GHz帯モノリシック光・ミリ波エミッターの広帯域化
- 極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響
- ソース/ドレイン上に選択W層を形成した1/4ミクロン級極薄膜MOSFET/SIMOXの特性
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-6 ベースバンド並列帰還アンプの低電源電圧化法
- 超40Gb/s ICモジュール用実装プラットフォームの検討
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- X線リソグラフィーによる微小プローブの製作と耐久性評価について
- X線リソグラフィーによる微小プローブの製作と耐久性評価について
- SC-11-7 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いたミリ波・サブミリ波の発生
- 160GHzアクティブモード同前半導体レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- C-4-39 160GHz アクティブモード同期半導体レーザ
- C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-34 モノリシックPD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- B-10-120 モノリシック集積化 PD-EAM による光サンプリング
- 高速フォトダイオードによるミリ波の発生と超伝導受信機への応用
- C-3-2 モノリシック PD-EAM 光ゲート素子による 320Gbit/s DEMUX エラーフリー動作
- 単一走行キャリヤー・フォトダイオードによるミリ波・サブミリ波発生とその応用
- 超高速単一走行キャリヤホトダイオードとその応用