p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
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概要
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p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するフォトダイオードは、全光吸収層厚に対して各層厚比を最適化することで通常のPDよりも高い帯域を得ることが訂能である。本報告ではその最適化手法を明らかにすると共に、デジタル応用のための40Gbit/s級PDを作製し、光吸収層厚を0.8μmとした素子で受光感度0.98A/W、3dB帯域50GHzの高速・高感度特性を実現した。またアナログ応用のための15GHz級PDを作製し、歪特性について評価した結果、同程度の光吸収層厚を有するpin-PDと比較して良好な線形性と5〜10dB以上高い3次インターセプトポイント(IP_3)が得られた。これらの結果は、本構造のPDがアナログ応用にも適していることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-25
著者
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
-
古田 知史
NTTフォトニクス研究所
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
東京大学大学院農学生命科学研究科
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
吉松 俊英
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
-
吉松 俊英
Nttフォトニクス研究所
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所
-
中島 史人
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
古田 知史
Ntt フォトニクス研
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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