児玉 聡 | Ntt フォトニクス研
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概要
関連著者
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児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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児玉 聡
Ntt フォトニクス研
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伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村本 好史
Nttフォトニクス研究所
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉松 俊英
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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吉松 俊英
Nttフォトニクス研究所
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所
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古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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伊藤 弘
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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村本 好文
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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古田 知史
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村口 正弘
Nttエレクトロニクス
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神田 淳
Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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村本 好史
Ntt フォトニクス研
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
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吉野 薫
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
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石橋 忠夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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古田 知史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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児玉 聡
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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名田 允洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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名田 允洋
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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古田 知史
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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伊藤 弘
東京大学大学院農学生命科学研究科
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古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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神田 淳
Nttワイヤレスシステム研究所
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村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
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石橋 忠夫
NTTフォトニクス研究所
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児玉 聡
NTTフォトニクス研究所
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古田 知史
Ntt フォトニクス研
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伊藤 弘
NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
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渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
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石橋 忠夫
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
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中島 史人
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大野 哲一郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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清水 直文
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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大野 哲一郎
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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清水 達也
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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廣田 幸弘
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
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村口 正弘
NTT未来ねっと研究所
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神田 淳
NTT未来ねっと研究所
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廣田 幸弘
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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永田 公一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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清水 達也
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
清水 達也
日本電信電話株式会社 日本未来ねっと研究所
著作論文
- C-4-25 UTC-PDと半導体MZ変調器を集積したPD-MZ光ゲート素子の提案と高速光ゲート動作の実現(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- 光通信技術の基礎--原点を見直し,将来を考える(第3回)フォトダイオード--研究開発の歴史と今後の展開
- C-2-17 改良型LOXI-FETによるGaAs MMICスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
- C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-34 モノリシックPD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- B-10-120 モノリシック集積化 PD-EAM による光サンプリング
- C-3-2 モノリシック PD-EAM 光ゲート素子による 320Gbit/s DEMUX エラーフリー動作
- 低温ウェーハボンディングとその超高速デバイスへの応用
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 単一走行キャリア・フォトダイオード
- C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)