古田 知史 | NTTシステムエレクトロニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NTTシステムエレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 石橋 忠夫

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 古田 知史

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 古田 知史

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索

• 清水 直文

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 児玉 聡

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡邊 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡辺 則之

  NTTフォトニクス研究所

• 渡邊 則之

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 児玉 聡

  Ntt フォトニクス研

• 児玉 聡

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 村口 正弘

  Nttエレクトロニクス

• 萩本 和男

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 宮本 裕

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 萩本 和男

  日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所

• 神田 淳

  Nttフォトニクス研究所

• 神田 淳

  Nttワイヤレスシステム研究所

• 村口 正弘

  NTTワイヤレスシステム研究所

• 入戸野 巧

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 石橋 忠夫

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 清水 直文

  Ntt未来ねっと研究所

• 清水 直文

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 永田 公一

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

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著作論文

• 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
• 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
• 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
• 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
• C-4-12 InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの高周波特性から求めた光吸収層内での電子拡散係数
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
• 単一走行キャリア・フォトダイオード

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