入戸野 巧 | Nttシステムエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 入戸野 巧

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一巳

  NTT LSI研究所

• 山根 康朗

  NTTフォトニクス研究所

• 山根 康朗

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一己

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一己

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 山崎 王義

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 小野寺 清光

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 小野寺 清光

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 日向 文明

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 児玉 聡

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村口 正弘

  Nttエレクトロニクス

• 石橋 忠夫

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 神田 淳

  Nttフォトニクス研究所

• 神田 淳

  Nttワイヤレスシステム研究所

• 村口 正弘

  NTTワイヤレスシステム研究所

• 児玉 聡

  Ntt フォトニクス研

• 古田 知史

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 入戸野 巧

  NTT LSI研究所

• 児玉 聡

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 古田 知史

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索

• 杉谷 末広

  Ntt フォトニクス研

• 山根 康朗

  NTT LSI研究所

• 山崎 王義

  NTT LSI研究所

• 杉谷 末広

  NTT LSI研究所

• 荒木 賀行

  NTTアドバンスドテクノロジ

• 西村 一巳

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 石橋 忠夫

  NTTエレクトロニクス株式会社

• 深井 佳乃

  NTTフォトニクス研究所

• 渡辺 和夫

  NTTフォトニクス研究所

• 広田 哲夫

  金沢工業大学

• 菅原 裕彦

  NTTアドバンステクノロジ(株)

• 徳光 雅美

  NTT LSI研究所

• 日向 文明

  NTT LSI研究所

• 菅原 裕彦

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 菅原 裕彦

  Ntt Lsi研究所

• 山崎 肇

  Ntt Lsi研究所

• 塩島 謙次

  NTT LSI研究所

• 広田 哲夫

  NTTワイヤレスシステム研究所

• 深井 佳乃

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 渡辺 和夫

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

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著作論文

• InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
• 耐熱ゲートInGaP/InGaAs/GaAs HMESFET
• 成長中断時AsH_3後流し条件制御によるInGaP/GaAsヘテロ界面の高品質化
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
• 分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価
• 分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価
• 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
• 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
• 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
• 耐熱ゲートGaAs/InGaAs/GaAsMESFET
• 2層構造WSiN電極によるGaAsショットキー接触の耐熱性の向上
• エピ/GaAs基板界面の不純物の低減法に関する検討 : 基板前処理の効果と雰囲気からの汚染
• MMIC用二重LDD型H-MESFET

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