耐熱ゲートInGaP/InGaAs/GaAs HMESFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高周波での高利得さらに高耐圧が必要なミリ波応用として、短ゲート化しても耐圧低下の少ない素子構造の開発が必須である。ここでは表面側に広ギャップ材料であるInGaPのノンドープ層とこの直下にチャネル層として高濃度薄層化が容易なInGaAs層を有するエピ構造に耐熱ゲート製作工程を適用してHMESFET(Heterostructure MESFET)を作成し、好結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
山崎 王義
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTT LSI研究所
-
山崎 王義
NTT LSI研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTT LSI研究所
-
山崎 肇
Ntt Lsi研究所
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
入戸野 巧
NTT LSI研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
関連論文
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ)
- C-2-21 V帯広帯域InP HEMT周波数逓倍器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- SC-9-6 BCB 液体ソースを用いたプラズマ CVD 法で堆積した低誘電率有機膜の膜質特性
- 超高速IC用の多層配線を用いた0.1μmセルフアラインゲートGaAs MESFET
- WSiN自己整合ゲ-トGaAs-MESFET技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- InGaP/InGaAs/GaAs-HMESFETの耐圧向上
- 0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFETの高性能化
- 超高速ディジタル回路用0.1μm級GaAsMESFET
- B-10-81 380ps/nmの分散トレランスをもつ完全符号化40Gbit/s光デュオバイナリ信号を用いた8チャネルWDM伝送
- 超高速ディジタルICへの多層配線構造の適用
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- p-GaNショットキー接触のICTS評価
- 耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-8 BCB層間膜を用いたInP-HEMTの耐湿性向上(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 多給電構成を用いた40GHz帯域高利得分布型増幅器ICモジュール
- 0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
- C-2-7 V帯3次元MMIC1チップダウンコンバータ
- 耐熱ゲートInGaP/InGaAs/GaAs HMESFET
- 自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
- 自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
- 10Gb/s直列入力型ATMスイッチ用LSIの試作
- 10Gb/s直列入出力型 ATMスイッチLSI
- 再ルーチングバンヤン網の高密度実装化
- 超高速ICに向けた0.1μmGaAsMESFET技術
- ミリ波デバイスと回路および応用 VI.ミリ波GaAsMESFET技術の研究動向
- 成長中断時AsH_3後流し条件制御によるInGaP/GaAsヘテロ界面の高品質化
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- 分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価
- 分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 超小型MMIC用3次元配線技術
- U字形VIAを用いた厚膜ポリイミド多層配線の製作
- 新BP-LDD構造0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFET
- 耐熱ゲートGaAs/InGaAs/GaAsMESFET
- P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))
- 2層構造WSiN電極によるGaAsショットキー接触の耐熱性の向上
- エピ/GaAs基板界面の不純物の低減法に関する検討 : 基板前処理の効果と雰囲気からの汚染
- GaAs LSI製作におけるイオン注入 (GaAs SAINTによる超高速・超高周波集積回路技術)
- 0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
- MMIC用二重LDD型H-MESFET
- 超高速集積回路用GaAs MESFETの0.1μm WSiNゲート形成技術
- 3次元MMICプロセス技術 (特集論文 3次元マイクロ波集積回路技術--次世代超高周波/超高速ハ-ドウェアを支える先端技術)
- C-10-15 InAlAs/InGaAs/InP HEMTによる50-Gbit/s l:2デマルチプレクサモジュール
- C-10-14 Inp HEMTによる43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- InP HEMTを用いた43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)