超小型3次元MMIC用配線形成技術

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概要

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従来の3次元MMIC用配線形成技術において不可能であった、ポリイミドの高速加工と任意の配線層間接続を可能とする新しい配線形成技術を開発した。本技術の特徴は、エッチングマスクに、選択性に優れたWSiメタルと、Wの飛散を抑制するためのSi含有レジストとから構成される二層マスクを用い、また、エッチング装置として、ポリイミドの高速エッチングが可能な誘導結合プラズマを用いたエッチング装置を用いたポリイミド加工法である。この技術を用い10μm厚のポリイミド中に任意の配線層間接続を含む3次元配線構造を良好に形成した。また、この技術の応用例として、新しいタイプの縦型インダクターを実現した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-01-21

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