0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
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概要
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将来の超高速ICに向けたデバイスとして, 量産性, 均一性で優れたプレーナ構造のイオン注入GaAs MESFETの高性能化を検討した。FETの高性能化にはゲート長の短縮が有効である。しかしながら, イオン注入を用いたセルフアラインGaAs MESFETでは, n^+層の近接等によるしきい値電圧のシフト等の短チャネル効果が顕著となる。そこで今回, イオン注入を用いた0.1μm Au/WSiNゲートGaAs MESFETのしきい値電圧の高均一化を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
徳光 雅美
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
山崎 王義
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
青山 真二
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
小野寺 清光
NTTフォトニクス研究所
-
青山 真二
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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