超高速集積回路用GaAs MESFETの0.1μm WSiNゲート形成技術
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概要
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超高速集積回路構成素子として適しているAu, WSiNゲートGaAs MESFETの高性能化を目指し、0.1μmWSiNゲート形成法を検討した。g-線ステッパによる光露光と三層レジストプロセスの組み合わせで、良好な再現性をもってWSiN加工用マスクであるSiO_2の0.1μm加工を達成した。さらに、SF_6を用いたECRプラズマエッチングにより、オーバーエッチングを比較的高いガス圧下で行なう二段階エッチングを適用し、GaAsに低傷害な垂直加工を実現した。これらの加工法を適用した結果、ゲート長0.1μmのFETにおいて、最大g_m=505mS/mm、最大f_T=113GHz、最大f_max>=132GHzを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-21
著者
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
山根 康朗
NTT LSI研究所
-
井上 考
NTT LSI研究所
-
徳光 雅美
NTT LSI研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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