C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 2012-03-06
著者
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)
-
綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
堤 卓也
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
堤 卓也
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話
-
綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
堤 卓也
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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