杉谷 末広 | Ntt システム・エレクトロニクス研
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概要
関連著者
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
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北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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堤 卓也
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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井田 実
日本電信電話
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堤 卓也
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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堤 卓也
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
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北林 博人
NTTフォトニクス研究所
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村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
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村口 正弘
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
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山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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牧村 隆司
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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小杉 敏彦
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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杉谷 末広
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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重川 直輝
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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豊田 一彦
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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西川 健二郎
NTT未来ねっと研究所
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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西川 健二郎
京都大学生存圏研究所
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社
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西川 健二郎
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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Nishikawa Kenjiro
Nippon Telegraph and Telephone corporation
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菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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豊田 一彦
日本電信電話
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豊田 一彦
日本電信電話株式会社
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北林 博人
日本電信電話(株)環境エネルギー研究所
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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関 智弘
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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武藤 美和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山口 聡
工学院大学工学部電子工学科
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常川 光一
日本電信電話株式会社 NTT未来ねっと研究所
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関 智弘
Ntt未来ねっと研究所
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今井 祐記
Nttフォトニクス研究所
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上綱 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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井田 実
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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西村 一巳
NTT LSI研究所
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小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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今井 祐記
NTT LSI研究所
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山口 聡
NTT LSI研究所
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令井 祐記
NTT LSI研究所
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柴田 随道
NTT LSI研究所
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杉谷 末広
NTT LSI研究所
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小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
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西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話
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関 智弘
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
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綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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栗島 賢二
日本電信電話
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杉谷 末広
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
武藤 美和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
著作論文
- C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ)
- C-2-21 V帯広帯域InP HEMT周波数逓倍器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-9-6 BCB 液体ソースを用いたプラズマ CVD 法で堆積した低誘電率有機膜の膜質特性
- 超高速ディジタルICへの多層配線構造の適用
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-8 BCB層間膜を用いたInP-HEMTの耐湿性向上(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- 短時間アニ-ルによるMESFET高性能化 (GaAs SAINTによる超高速・超高周波集積回路技術)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)