C-10-8 BCB層間膜を用いたInP-HEMTの耐湿性向上(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-07
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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