超高速化合物半導体電子デバイスの可能性
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概要
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本論文では,化合物半導体デバイスの特徴を,高出力特性,低雑音特性,高周波高利得特性,高速スイッチング特性の観点から,各々の高性能化について可能性と課題について議論した.高出力性については,AlGaN/GaN HEMTの高電圧動作と潜在的に優れた電子輸送特性から,飛躍的な高出力化の期待が大きい.一方,低雑音化,高周波化については,InP系HEMTの材料技術やゲート微細化技術によりサブミリ波帯までの低雑音化が期待できる.高速・高機能なアナログ・ディジタル混載型の高機能化については,自己整合化技術を用いて1/4μmまで微細化されたInP HBTの実現により,超100GHzの動作が期待できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-01
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所テラビットデバイス研究部
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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