MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)の高性能化への指針を得るため、絶縁膜とAlGaN障壁層とを一体の障壁層と考えた層構造設計の検討を行った。ゲート容量を一定に保持して絶縁膜の厚膜化とAlGaNの薄層化とを行うことにより、従来型HFETと同等の高い相互コンダクタンスを保ちつつ、従来型HFETで非常に大きいゲートリーク電流を大幅に低減可能なことが示された。さらに、MIS構造HFETにおいて、デプレション型デバイスとしての従来型HFETと同じしきい値を得るため、GaNチャネルへのチャネル・ドーピングを組み合わせた設計の検討を行った。その結果、MIS構造HFETにおいて、従来型HFETと同じしきい値と同等の高い相互コンダクタンスを保ちつつ、従来型HFETで非常に大きいゲートリーク電流を大幅に低減可能なことが示された。このことは、MIS構造HFETが、デプレション型の従来型HFETを置き換えるポテンシャルを有していることを示している。
- 2009-06-04
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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