榎木 孝知 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
NTTフォトニクス研
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
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栗島 賢二
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話
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栗島 賢二
日本電信電話
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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村口 正弘
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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岡村 康行
大阪大学大学院基礎工学研究科
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村田 博司
大阪大学大学院基礎工学研究科電子光科学領域
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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永妻 忠夫
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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岡村 康行
大阪大学大学院 基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
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岡村 康行
阪大・基礎工
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北林 博人
NTTフォトニクス研究所
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井田 実
NTTフォトニクス研究所
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菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
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山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
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村田 博司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊藤 弘
NTTフォトニクス研究所
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中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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上綱 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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永妻 忠夫
大阪大学大学院基礎工学研究科:日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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小林 昇代
大阪大学大学院基礎工学研究科
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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柴田 随道
NTTフォトニクス研究所
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井田 実
NTT情報流通基板研究所
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福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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丸山 隆志
Nttアドバンステクノロジ株式会社
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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福山 裕之
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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柏尾 典秀
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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永妻 忠夫
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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伊藤 猛
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
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長船 一雄
Nttフォトニクス研究所
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末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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伊藤 猛
NTTフォトニクス研究所
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伊藤 敏洋
Ntt フォトニクス研
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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伊藤 敏洋
NTTフォトニクス研究所
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福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
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王 成新
NTTフォトニクス研究所
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山根 康郎
Nttフォトニクス研究所
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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豊田 一彦
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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石井 清
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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大平 昌敬
ATR波動工学研究所
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上羽 正純
ATR波動工学研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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関 智弘
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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深井 佳乃
日本電信電話(株)
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楳田 洋太郎
NTT システムエレクトロニクス研究所
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長船 一雄
NTT システムエレクトロニクス研究所
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石井 康信
NTT システムエレクトロニクス研究所
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高橋 宏行
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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西川 健二郎
NTT未来ねっと研究所
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武藤 美和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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西川 健二郎
京都大学生存圏研究所
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社
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西川 健二郎
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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Nishikawa Kenjiro
Nippon Telegraph and Telephone corporation
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荒井 滋久
東京工業大学
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野坂 秀之
Nttフォトニクス研究所
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野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
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榎木 孝知
Ntt Lsi研究所
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石井 康信
Nttフォトニクス研究所
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石井 康信
Ntt Lsi研究所
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常川 光一
日本電信電話株式会社 NTT未来ねっと研究所
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岡村 康行
大阪大学 大学院基礎工学研究科 電子光科学領域
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関 智弘
Ntt未来ねっと研究所
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楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研究所
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楳田 洋太郎
Ntt
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石井 清
NTTフォトニクス研究所
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荒井 滋久
東京工大
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荒井 滋久
東工大
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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伴 弘司
ATR波動工学研究所
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菅原 裕彦
NTTフォトニクス研究所
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長船 一雄
NTT LSI研究所
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伊藤 弘
NTT LSI研 究所
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松崎 秀昭
東日本電信電話株式会社
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高橋 宏行
NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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伊藤 弘
Ntt Lsi研究所
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横山 春喜
Nttフォトニクス研
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武藤 美和
NTTフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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西岡 辰哉
大阪大学大学院基礎工学研究科
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豊田 一彦
日本電信電話
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豊田 一彦
日本電信電話株式会社
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大平 昌敬
埼玉大学大学院理工学研究科
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楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
関 智弘
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
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武藤 美和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
著作論文
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-2-18 130GHz帯アンテナ一体型ミリ波イメージングMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信
- C-2-21 V帯広帯域InP HEMT周波数逓倍器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-10-9 ダイナミック型識別器のリタイミング特性改善
- MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-2-53 イメージング用120GHz帯モノリシック集積型アンテナアレー(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 第19回インジウム燐および関連材料国際会議 (IPRM2007) 報告
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- CS-10-3 ミリ波応用に向けたInP HEMT技術(CS-10.ミリ波・サブミリ波信号検出技術の現状と展開,シンポジウム)
- 横方向微細化InP系HEMTの作製技術と素子特性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- CS-3-2 140GHz帯ミリ波イメージング装置(CS-3.環境・エネルギー分野の発展に貢献するマイクロ波技術,シンポジウムセッション)
- C-10-19 RTD多値量子化器を用いたΔΣ変調器の基本設計
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ
- 配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- C-14-6 InP HEMTミリ波発振器からの60GHz帯信号の光による変調(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-10-16 SCFL回路の負荷抵抗を接地する構成における高速動作条件
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス 周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- 伝播遅延を考慮したInAlAs/InGaAs HEMT SCFLインバータ遅延時間解析
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)