王 成新 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
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廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
著作論文
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)