前田 就彦 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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原田 裕一
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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佐々木 智子
NTT基礎研
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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原田 裕一
Ntt物性科学基礎研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
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王 成新
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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西田 敏夫
Ntt物性基礎研究所
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小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
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嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
西田 敏夫
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
- InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
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