榎木 孝知 | 日本電信電話株式会社
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概要
関連著者
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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井田 実
日本電信電話
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菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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石井 清
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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野坂 秀之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
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野坂 秀之
日本電信電話株式会社
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野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
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佐野 栄一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
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福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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佐野 栄一
Jst‐crest
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松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
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柴田 随道
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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柴田 随道
NTTフォトニクス研究所
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柴田 随道
日本電信電話株式会社
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山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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柴田 随道
日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
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柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話
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山根 康朗
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
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北林 博人
日本電信電話(株)環境エネルギー研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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大坂 次郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大坂 次郎
名古屋大学工学部
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山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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上綱 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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深井 佳乃
日本電信電話(株)
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所NTT未来ねっと研究所
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武藤 美和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所テラビットデバイス研究部
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伊藤 敏洋
Ntt フォトニクス研
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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武藤 美和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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豊田 一彦
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
NTTエレクトロニクス(株)
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西川 健二郎
NTT未来ねっと研究所
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平田 道広
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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西川 健二郎
京都大学生存圏研究所
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西川 健二郎
日本電信電話株式会社
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西川 健二郎
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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Nishikawa Kenjiro
Nippon Telegraph and Telephone corporation
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神田 淳
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研究所
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楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
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平田 道広
NTTエレクトロニクス
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横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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北林 博末
日本電信電話株式会社
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豊田 一彦
日本電信電話
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豊田 一彦
日本電信電話株式会社
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佐藤 宏
日産自動車
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楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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佐藤 宏
日産自動車株式会社総合研究所
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中村 光範
日産自動車株式会社総合研究所
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クライソン トロンナムチャイ
日産自動車株式会社総合研究所
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北林 博人
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
著作論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-18 130GHz帯アンテナ一体型ミリ波イメージングMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
- SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
- SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
- C-12-7 データパタン無依存10Gbit/sCDRIC
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
- InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- 60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ)
- C-12-19 相比較の三値化によるCDR回路のジッタ抑圧
- C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
- MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
- C-10-7 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTを用いた低消費電力・高速SCFLインバータ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- SC-9-6 BCB 液体ソースを用いたプラズマ CVD 法で堆積した低誘電率有機膜の膜質特性
- MOBILEの過渡応答と動作速度解析
- MOBILEの過渡応答と動作速度解析
- C-10-12 MOBILE過渡応答に対するRTD寄生抵抗の影響
- 超高速化合物半導体電子デバイスの可能性
- 電子デバイス創発の時代に向けて
- CS-3-2 140GHz帯ミリ波イメージング装置(CS-3.環境・エネルギー分野の発展に貢献するマイクロ波技術,シンポジウムセッション)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 共鳴トンネル3値量子化器を用いたΔΣ変調器
- 共鳴トンネル3値量子化器を用いたΔΣ変調器
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-8 BCB層間膜を用いたInP-HEMTの耐湿性向上(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-5 縦積み型構成による高速ドライバ増幅回路の検討
- C-10-14 Inp HEMTによる43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- InP HEMTを用いた43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)