井田 実 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

スポンサーリンク

概要

• 井田 実の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所の論文著者

関連著者

• 井田 実

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話

• 井田 実

  日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所

• 栗島 賢二

  日本電信電話

• 栗島 賢二

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 野坂 秀之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 野坂 秀之

  Nttワイヤレスシステム研究所

• 野坂 秀之

  日本電信電話株式会社

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社

• 野坂 秀之

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 山幡 章司

  NTTフォトニクス研究所

• 渡邊 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石井 清

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 渡邊 則之

  Nttフォトニクス研究所

• 佐野 栄一

  Jst‐crest

• 佐野 栄一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山幡 章司

  日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所

• 中島 裕樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 中島 裕樹

  NTTフォトニクス研究所

• 栗島 賢二

  Nttフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山幡 章司

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井田 実

  NTTフォトニクス研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話株式会社

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 佐野 公一

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 菅原 裕彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話(株)ntt Lsi研究所

• 菅原 裕彦

  NTTアドバンステクノロジ(株)

• 柴田 随道

  NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTTフォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  NTTフォトニクス研究所

• 柴田 随道

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 柏尾 典秀

  Nttフォトニクス研究所

• 柴田 随道

  日本電信電話株式会社

• 柴田 随道

  日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所

• 柏尾 典秀

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 栗島 賢二

  NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社

• 栗島 賢二

  NTTフォトニクス研

• 福山 裕之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 徳光 雅美

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本大学生物資源科学部

• 村田 浩一

  日本大学生物資源科学部野生動物学講座

• 村田 浩一

  神戸市立王子動物園

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所

• 杉谷 末広

  日本電信電話(株)

• 村田 浩一

  Ntt未来ねっと研究所

• 徳光 雅美

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス

• 村田 浩一

  神戸市王子動物園

• 福山 裕之

  Nttフォトニクス研究所

• 福山 裕之

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 堤 卓也

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 西村 一己

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 杉谷 末広

  Ntt システム・エレクトロニクス研

• Murata K

  Nihon Univ. Kanagawa Jpn

• 堤 卓也

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 堤 卓也

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 西村 一巳

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 村田 浩一

  東京都恩賜上野動物園

• 村田 浩一

  日本大学生物資源科学部動物資源科学科野生動物学研究室

• 山根 康朗

  NTTエレクトロニクス(株)

• 綱島 聡

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山根 康朗

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 長谷 宗彦

  日本電信電話株式会社

• 渡邉 則之

  Nttフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 村田 浩一

  日本大学 生物資源科学部

• MURATA Koichi

  NTT System Electronics Laboratories

• Murata K

  Department Of Wildlife Science College Of Bioresource Sciences Nihon University

• 綱島 聡

  NTTフォトニクス研究所

• 長谷 宗彦

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• Murata Koichi

  Ntt Photonics Laboratories

• 山根 康朗

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 星 拓也

  日本電信電話

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 綱島 聡

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 長谷 宗彦

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話

• 小杉 敏彦

  日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所

• 中村 誠

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  日本電信電話(株)

• 佐野 栄一

  NTT未来ねっと研究所

• 井田 実

  NTT情報流通基板研究所

• ボウビア イブス

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 赤池 正巳

  東京理科大学工学部電気工学科

• 武藤 美和

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 柏尾 典秀

  NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社

• 平田 道広

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 榎木 高知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 徳光 雅美

  NTTフォトニクス研究所

• 佐野 栄一

  (現)北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 栗島 賢二

  ATR

• 上綱 秀樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡辺 則之

  NTTフォトニクス研究所

• 平田 道広

  NTTエレクトロニクス

• 井田 実

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 手嶋 克智

  東京理科大学

• 伊藤 敏洋

  Ntt フォトニクス研

• 伊藤 敏洋

  NTTフォトニクス研究所

• 赤池 正己

  東京理科大学工学部電気工学科

• 赤池 正巳

  東京理科大学工学部

• 伊藤 敏洋

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• ボウビエ イブス

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉山 引樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 星 拓也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 武藤 美和

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

もっと見る 閉じる

著作論文

• InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
• InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
• C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
• 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
• SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
• SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
• 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
• 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
• InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
• InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
• InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
• 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
• アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
• C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
• 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
• アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
• 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
• アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
• InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
• C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
• 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
• 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
• 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
• C-10-21 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
• 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
• 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
• 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
• C-14-8 光照射 HPT の低コレクタ電流時における f_T の検討
• 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
• B-10-96 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(B-10. 光通信システムB(光通信))
• C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
• 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ
• InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-14 0.5-μm InP HBTによる低消費電力50-Gb/s D-FF(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
• C-10-7 0.5μm InP HBTを用いた50Gbit/s差動出力リミッティングアンプIC(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• C-10-6 0.5-μm InP HBTによる60-GS/s超高速D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク