InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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InP-ICにおいて大面積を占めるキャパシタ素子の密度を向上させることは、InP-ICの小型化において大変有用である。キャパシタンス密度の向上の方法として、新スタック型MIM(Metal-insulator-metal)キャパシタを考案した。本構造では、2枚のフォトマスクパタンを繰り返し使うことによってマスクコストを低減できる。さらにサイドコンタクト形成技術によって各層を一括に接続することでスループットを大幅に向上させ、製造コストを低く抑えることができる。今回、5層スタック型MIMキャパシタ(SiN膜厚175nm)、及び3層スタック型MIMキャパシタ(SiN膜厚100nm)を作製し、それぞれにおいて単位容量当たりのリーク電流を増加させることなく、単層キャパシタのそれぞれ約5倍(1.47 fF/μm^2)、約3倍(1.72 fF/μm^2)にキャパシタンス密度が増加することを確認した。また3層スタック型MIMキャパシタ(SiN膜厚100nm)において、単層キャパシタと同程度の、寄生成分の少ない良好なRF特性が得られることを確認した
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-01-06
著者
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
堤 卓也
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
堤 卓也
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話
-
堤 卓也
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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