n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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(0001)サファイア基板上に成長したn^+GaN/undoped GaN構造において、表面のn^+GaN層を塩素系ICPエッチングにより除去し、露出するundoped GaN層表面に櫛形電極を形成し表面弾性波フィルタを作成した。同フィルタの特性はas-grownのundoped GaN単層上に形成されたフィルタの特性とほぼ同様であった。この結果はGaN系表面弾性波デバイスとFET等の電子デバイスを同一ウェハ上に作成可能であることを意味する。n^+GaN層を表面弾性波フィルタの電極材料とした時の特性、及び機能デバイスのプロトタイプとして、表面弾性波デバイスに基づく遅延線発振器により水素センシングを試みた結果についてもあわせて報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
-
宝川 幸司
神奈川工科大工学部
-
宝川 幸司
神工大工学部
-
宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
-
Hohkawa Kohji
Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology
-
西村 一巳
Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
横山 春喜
日本電信電話
-
西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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