宝川 幸司 | 神奈川工科大学工学部
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概要
関連著者
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宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
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宝川 幸司
神奈川工科大工学部
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Komine Kenji
Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation
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宝川 幸司
神工大工学部
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黄 啓新
神奈川工科大学ホームエレクトロニクス開発学科
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黄 啓新
神奈川工科大学
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黄 啓新
神奈川工科大学工学部
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黄 啓新
神工大工学部
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兼城 千波
神奈川工科大・工
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兼城 千波
神奈川工科大学工学部
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Hohkawa Kohji
Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology
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青木 裕介
三重大学 大学院工学研究科電気電子工学専攻
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青木 裕介
神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
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青木 裕介
神奈川工科大学 ハイテクリサーチセンター
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青木 裕介
ハイテクリサーチセンター
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青木 祐介
神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
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西村 一巳
Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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須田 隆也
神奈川工科大学工学部
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洪 哲雲
神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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西村 一巳
NTTフォトニクス研
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尾崎 学
神奈川工科大・工
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尾崎 学
神奈川工科大学大学院
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江口 朋裕
神奈川工科大学工学部
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佐藤 泰幸
神奈川工科大学
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本間 輝武
神奈川工科大学工学部
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本間 輝武
神奈川工科大学
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小峰 賢二
株式会社明電舎
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中島 勉
神奈川工科大学
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岡本 悟
神奈川工科大・工
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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宮台 賢一郎
神奈川工科大学工学部
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宮台 賢一郎
神奈川工科大学大学院
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和田 雅哉
神奈川工科大学工学部
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荒木 信成
明電舎
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小峰 賢二
明電舎
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上野 寛樹
神奈川工科大学工学部
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和田 雅哉
神奈川工科大・工
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金子 丁士
神奈川工科大学
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金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
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金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
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西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
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野毛 悟
神奈川工科大学
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佐藤 弘
産総研・強相関電子技術セ
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宇野 武彦
神奈川工科大学電気電子工学科
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水澤 貴洋
神奈川工科大学工学部
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水澤 貴洋
神工大工学部
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吉田 浩
神奈川工科大・工
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加藤 景三
新潟大学
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寺尾 有司
神工大工学部
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Kato K
Shizuoka Johoku Senior High School Shizuoka Jpn
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Kato Ken-ichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Osaka City University
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宇野 武彦
神奈川工科大
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田崎 美智子
神奈川工科大学工学部応用化学科
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佐藤 敦雄
神奈川工科大学工学部
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勝田 宏達
神奈川工科大学工学部
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田崎 美智子
神奈川工科大
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金子 双男
新潟大学
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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山村 晃
神奈川工科大学応用バイオ科学部応用バイオ科学科
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松本 邦男
神奈川工科大学工学部応用バイオ科学科
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加藤 景三
新潟大学超域研究機構
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金子 双男
新潟大学超域研究機構
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松本 邦男
神奈川工大・工・応化
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佐藤 弘
電子技術総合研究所
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赤穂 博司
電子技術総合研究所
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横田 学
神奈川工科大学工学部
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兼城 千波
神工大工学部
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青木 祐介
神奈川工科大学工学部
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松本 邦男
神奈川工大・応用バイオ科学
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山崎 貴紀
神工大工学部
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鈴木 博次
明電舎
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山村 晃
神奈川工大・応用バイオ科学
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松本 邦男
神奈川工科大学工学部
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松本 邦男
神奈川工科大学
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松本 邦男
神奈川工科大 工
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赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
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山崎 貴之
神工大工学部
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押山 聡
神工大工学部
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原 元昭
神奈川工科大
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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村瀬 暁
岡山大学工学部
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川邊 潮
千葉工業大学大学院 工学研究科
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川邊 潮
千葉工大
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金 錫範
岡山大学
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小林 武
神奈川工科大学電気電子工学科
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佐藤 弘
産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター
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藤本 英司
産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター
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赤穗 博司
産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター
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富岡 章
千葉工業大学
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高畠 信也
神奈川工科大学電気電子工学科
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尾崎 学
神工大工学部
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出口 太郎
神工大工
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岡本 悟
神工大工
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南 松日文
神奈川工科大・ハイテクリサーチセンター
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平井 理恵子
神奈川工科大学工学部
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岡部 勝
神奈川工科大学応用バイオ科学部応用バイオ科学科
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村瀬 暁
岡山大学
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七戸 希
岡山大
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七戸 希
岡山大学工学部電気電子工学科
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金 錫範
岡山大工
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西村 一巳
NTT LSI研究所
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和田 理征
神奈川工科大学応用バイオ科学部応用バイオ科学科
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興津 宏幸
神奈川工科大学工学部
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山崎 貴紀
神奈川工科大工
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寺尾 有司
神奈川工科大工
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金 錫範
岡山大学工学部
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渡邊 准司
岡山大学工学部
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Koh Keishin
Kanagawa Institute of Technology
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Kanashiro Chinami
Kanagawa Institute of Technology
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Hohkawa Kohji
Kanagawa Institute of Technology
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Nishimura Kazumi
NTT Photonics Laboratories
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Shigekawa Naoteru
NTT Photonics Laboratories
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野毛 悟
神工大工
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白石 英也
明電舎
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鈴木 博次
株式会社明電舎
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野毛 悟
神工大・工
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上野 寛樹
神工大・工
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宝川 幸司
神工大・工
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荒木 信成
(株)明電舎
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小峰 賢二
(株)明電舎
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島田 恵理子
応用化学科
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伊熊 泰郎
応用化学科
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伊熊 泰郎
第2材料分析研究室運営委員会
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万代 敏夫
第2材料分析研究室運営委員会
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三井 和博
第2材料分析研究室運営委員会
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三澤 章博
第2材料分析研究室運営委員会
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荻田 陽
第2材料分析研究室運営委員会
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宝川 幸司
第2材料分析研究室運営委員会
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宇野 武彦
第2材料分析研究室運営委員会
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笹本 忠
第2材料分析研究室運営委員会
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有岡 由夏
応用化学専攻 博士前期課程
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和田 理征
一般科
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岡部 勝
応用化学科
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瀧川 裕貴
応用化学専攻 博士前期課程
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別處 弘明
応用化学専攻 博士前期課程
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瀧川 裕貴
神奈川工科大学大学院工学研究科応用化学専攻
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Kato K
Nippon Telegraph And Telephone Corp. Tokyo Jpn
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Koh Keishin
Kanagawa Institute Of Technolgy
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Okabe M
Faculty Of Pharmaceutical Sciences Osaka University
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三井 和博
神奈川工科大学
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横山 春喜
Nttフォトニクス研
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村瀬 暁
岡山大学工学部電気電子工学科
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鬼沢 忠
神奈川工科大学
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Kaneshiro Chinami
Kanagawa Institute Of Technology
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Shigekawa Naoteru
Ntt Photonic Lab. Kanagawa Jpn
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重川 直輝
Ntt
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Kaneshiro C
Kanagawa Institute Of Technology
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藤本 英司
産総研cerc:jst-crest
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織田澤 孝
神奈川工科大学
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三澤 章博
神奈川工科大
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渡邊 准司
岡山大学工
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西村 一巳
Ntt
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高畠 信也
神奈川工科大
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佐藤 弘
独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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川邊 潮
千葉工業大学
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Nishimura Kazumi
NTT Photonic Laboratories, 3-3-18 Morinosato Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan
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赤穂 博司
産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター
著作論文
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- 全YBaCuO積層型接合を用いたSQUIDゲート
- P2-17 半導体/圧電体結合素子のX線回折によるトポグラフィック評価(ポスターセッション2,ポスター発表)
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- P2-25 FIB加工端面をもつ構造物におけるSAWの反射特性 : 素子小型化の可能性(ポスターセッション2(概要講演))
- P2-24 フリップチップボンディングによる圧電基板への半導体素子の実装(ポスターセッション2(概要講演))
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- Golay 符号を用いた広帯域弾性表面波素子に関する検討
- 埋め込み型リング共振器を用いた可変フィルタに関する検討
- 構造体中を伝搬する弾性波伝搬特性
- 超音波デバイス フォトダイオードとSAWフィルタを複合した光機能素子
- P2-C-17 MEMS技術による機能センサの作製(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション2(概要講演))
- P2-C-16 フォトダイオードとSAWフィルターを複合した光機能素子(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション2(概要講演))
- P2-C-15 符号化電極を持つ超広帯域弾性表面波素子(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション2(概要講演))
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- P3-48 二次元周期構造体を有する弾性波機能素子に関する検討(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P3-40 半導体結合SAW特性可変フィルタの設計(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P3-39 マルチストリップ形半導体-SAWプログラマブルコリレータ(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P3-38 半導体能動素子と複合集積化したSAW機能回路(ポスターセッション3,ポスター発表)
- PF05 Si/圧電体構造を有するSAW機能素子の作製(ポスターセッションI)
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- 半導体 : 弾性表面波結合素子の作製と応用
- 半導体 : 弾性表面波結合素子の作製と応用
- C-2 AlGaAs/LiNbO_3構造をもつSAW素子の光応答特性
- AlGaAs/LiNbO_3構造SAW素子の光応答特性
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 2P3-8 対面張り合わせによるモード結合SAW素子に関する基礎検討(ポスターセッション)
- 2P3-7 AlGaN/GaN弾性波共振器に関する基礎検討(ポスターセッション)
- 1P5-9 埋め込み形電極構造を用いたAlGaN/GaN素子(ポスターセッション)
- 1P5-6 表面張り合わせによるSAW素子の基礎検討(ポスターセッション)
- 電荷転送効果によるGaN紫外線センサーに関する基礎検討
- 超音波デバイス cMUT作製のためのCr犠牲層エッチング技術
- 1-06P-40 AlGaN/GaNフィルム素子における可変特性(ポスターセッション 1)
- 1-06P-38 犠牲層プロセスによるSAW素子の局所的パッケージング(ポスターセッション 1)
- 1-05P-34 犠牲層エッチングによるCMUT作製技術に関する検討(ポスターセッション 1)
- 2軸方向磁場測定用ホール素子および磁場可視化システムの開発(その1)
- P2-10 SAW-Semiconductor UV Sensor Using GaN Film(Short oral presentation for posters)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PF6 SAW用水晶基板表面の微視的構造評価(ポスターセッション3)
- CF4プラズマエッチングプロセスにおける残差物の除去法について
- PC5 CF4プラズマエッチングプロセスに於ける残査物(ポスターセッション3-概要講演・展示)
- PB-17 パルス位置変調を加えた直接拡散SS通信方式用SAW素子(P.ポスターセッションB-概要講演・展示)
- フッ素化ポリイミド材料のSAW素子への適用
- PC23 弾性表面波多相位相変復調回路(ポスタセッションC-概要講演・展示)
- Langmuir-Blodgett超薄膜を用いたSAWセンサの感応特性
- Langmuir-Blodgett超薄膜を用いたSAWセンサの感応特性
- Langmuir-Blodgett超薄膜を用いたSAWセンサの感応特性
- 分析電子顕微鏡システム利用研究成果、そのXIV
- YBaCuO積層型接合の高性能化
- ポーラスな感応膜を用いた弾性波センサー
- ポーラスな感応膜を用いた弾性波センサー
- ポーラスな感応膜を用いた弾性波センサー
- ポーラスな感応膜を用いた弾性波センサー
- ゴム系材料を用いた弾性波センサ
- ゴム系材料を用いた弾性波センサ
- ゴム系材料を用いた弾性波センサ
- ゴム系材料を用いた弾性波センサ
- 光音響法を用いたCVDダイヤモンド薄膜の熱伝導率の測定
- P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))
- c軸配向YBaCuO積層型ジョセフソン接合の作製
- YBaCuO積層型ジョセフソン接合の特性に対するPrBaCuOバリア層の組成効果
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- PC6 エピタキシャルリフトオフ技術を用いた半導体-SAW複合素子(ポスターセッション3-概要講演・展示)
- PF07 半導体結合SAWコンボルバに関するシミュレーション的考察(ポスターセッションI)
- Langmuir-Blodgett超薄膜を用いたSAWセンサの感応特性