GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
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概要
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本報告では、GaNの紫外線センサとしての可能性を探るために、エピタキシャル成長したGaN弾性波デバイスを試作し、紫外線応答に関する基本的な実験と検証を行った。試作したSAWデバイスを用いて、紫外線照射による光励起キャリアのSAWによる電荷転送の現象を確認した。空乏層の狭いような導電性膜のデバイスであっても、サイドゲートを設ける工夫をすることで、空乏層を広げることにより、電荷転送を行うことができる。また、転送された電荷(電子と正孔)の不均衡によって、DC成分が検出できるという、特徴的な結果を得ることができた。このDC成分は、膜の導電性や伝搬する弾性波のモードにより極性が変化し、波長によっては検出できない。これらの実験結果により、膜の電気的性質を利用し、弾性波のモードにより、単なる紫外線検出器としてではなく、波長や照射強度の検出が可能であることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-17
著者
-
宝川 幸司
神奈川工科大工学部
-
重川 直輝
NTTフォトニクス研
-
西村 一巳
NTTフォトニクス研
-
兼城 千波
神奈川工科大学工学部
-
黄 啓新
神奈川工科大学工学部
-
黄 啓新
神工大工学部
-
兼城 千波
神奈川工科大・工
-
水澤 貴洋
神奈川工科大学工学部
-
水澤 貴洋
神工大工学部
-
宝川 幸司
神工大工学部
-
宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
-
黄 啓新
神奈川工科大学ホームエレクトロニクス開発学科
-
Hohkawa Kohji
Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology
-
西村 一巳
Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
-
Komine Kenji
Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
黄 啓新
神奈川工科大学
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