西村 一巳 | NTTフォトニクス研

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• NTTフォトニクス研の論文著者

関連著者

• 宝川 幸司

  神奈川工科大工学部

• 重川 直輝

  NTTフォトニクス研

• 西村 一巳

  NTTフォトニクス研

• 宝川 幸司

  神工大工学部

• 宝川 幸司

  神奈川工科大学工学部

• Hohkawa Kohji

  Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology

• 西村 一巳

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• 兼城 千波

  神奈川工科大学工学部

• 兼城 千波

  神奈川工科大・工

• 黄 啓新

  神奈川工科大学工学部

• 黄 啓新

  神工大工学部

• 黄 啓新

  神奈川工科大学ホームエレクトロニクス開発学科

• Komine Kenji

  Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation

• 黄 啓新

  神奈川工科大学

• 水澤 貴洋

  神奈川工科大学工学部

• 横田 学

  神奈川工科大学工学部

• 和田 雅哉

  神奈川工科大学工学部

• 水澤 貴洋

  神工大工学部

• 和田 雅哉

  神奈川工科大・工

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  NTT LSI研究所

• 横山 春喜

  Nttフォトニクス研

• 重川 直輝

  Ntt

• 西村 一巳

  Ntt

もっと見る 閉じる

著作論文

• P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
• GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• 電荷転送効果によるGaN紫外線センサーに関する基礎検討
• 1-06P-40 AlGaN/GaNフィルム素子における可変特性(ポスターセッション 1)
• P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))

スポンサーリンク