横山 春喜 | Nttフォトニクス研
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概要
関連著者
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
Nttフォトニクス研
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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小田 康裕
NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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鈴木 左文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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寺西 豊志
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
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浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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鈴木 左文
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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澤田 清仁
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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白石 誠人
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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宝川 幸司
神奈川工科大工学部
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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西村 一巳
NTTフォトニクス研
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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宝川 幸司
神工大工学部
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日向 健介
東京工業大学
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宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
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Hohkawa Kohji
Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology
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西村 一巳
Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研
著作論文
- スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長