スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

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概要

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• スパイクドーピングを入れることによって,動作電圧を低減した共鳴トンネルダイオードにおいて約900GHzの基本波発振が得られた.スパイクドーピングなしの構造ではピーク電圧が0.94Vであったが,スパイクドーピングを2x10^<18>,1x10^<19>cm^<-3>入れることにより,それぞれ0.67,0.4Vまで低減した.ピーク電流密度はおよそ18mA/μm^2であり,スパイクドーピングをすることではほとんど変わらない.今回の実験で得られた最高発振周波数は898GHzであり,素子の面積は0.53μm^2,スパイクドーピングは2x10^<18>cm^<-3>である.

• 2009-11-22

著者

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研究所

• 澤田 清仁

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 鈴木 左文

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 寺西 豊志

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 白石 誠人

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• Asada Masahiro

  The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te

• 横山 春喜

  Nttフォトニクス研

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 鈴木 左文

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

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