InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
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概要
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従来、HEMTのキャリア供給層材料にはInAlAsが用いられている。InAlAsをキャリア供給層に用いたHEMTをアニールし熱安定性を評価した結果、移動度が600℃以上の熱処理により低下することが分かった。SIMS分析結果からこの移動度低下はデルタドーピングされたSiが熱拡散することにより起きていることが判明した。また、Siの熱拡散を抑制する材料としてIn(Al)Pを提案、その拡散定数がInAlAsと比較して約二桁小さいことを明らかにした。さらに、In(Al)Pをキャリア供給層に応用したHEMT構造を作製、as-grownの移動度の向上、および、アニールによる移動度の変動抑制によりSiの熱拡散抑制の効果を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-04
著者
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
小田 康裕
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
Nttフォトニクス研
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