表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造を作製した.InAlNのIn組成0.13から0.31の間で電子濃度が2.3x10^<13>から9x10^<12>cm^<-2>と幅広く変化すること,電子移動度が1050から1960cm^2/Vsと増加することを確認した.HFETを作製したところ,230mS/mmと高い相互コンダクタンスを得た.また従来構造InAlN/AlN/GaN HFETと比較し,新構造ではサブスレッショルド特性,暗電流が改善された.これは表面平坦性の改善によるものと考えられる.
- 2008-11-20
著者
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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