Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
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概要
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- 2007-01-10
著者
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
八木 拓真
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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