Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ

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概要

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• 2007-01-10

著者

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 八木 拓真

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 横山 春喜

  日本電信電話

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