ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-01-26
著者
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
那須 悠介
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
田村 宗久
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
那須 悠介
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
田村 宗久
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
倉田 優生
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話
-
那須 悠介
NTTフォトニクス研究所
-
倉田 優生
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
関連論文
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
- InAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたダイナミック分周器の遅延時間解析
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- C-3-46 導波路複屈折制御によるDQPSK復調用遅延干渉回路の広帯域化(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-47 PLC型43Gb/s DQPSK復調器の低消費電力化(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-29 小型DQPSK復調器用PLC編込二重マッハツェンダ回路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-68 シングルチップ集積化超小型16ch V-AWGにおけるVOA-AWG間熱干渉の評価(AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-6 半波長板直交配置によるマッハツェンダー干渉計の偏波無依存化(導波路デバイス(I),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-13 SLD光源を用いた高画質ミリ波イメージング(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-7 ゼロバイアス送受信器による300GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-14-4 フォトダイオードをダウンコンバータに利用した300GHz帯ホモダイン検波システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-14-9 インコヒーレントノイズ源を用いたミリ波イメージングシステム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-3 フォトニクス技術を用いた300 GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-3-1 光周波数コム発生器を用いた10-110GHz周波数可変ミリ波発生
- 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
- 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-14-14 インコヒーレントテラヘルツ波発生の高効率化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-3-48 集積型コヒーレント受信光フロントエンドモジュール技術(光フロントエンド,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-15 ショットキーバリアダイオードを用いたテラヘルツ連続波分光イメージングシステムの高速化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- B-5-224 60GHz帯モノリシック光・ミリ波エミッターの広帯域化
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (光エレクトロニクス)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (フォトニックネットワーク)
- 導波路型単一走行キャリアフォトダイオードを用いたミリ波の光伝送
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- C-14-13 300GHz帯無線リンクにおけるダイオード受信器の感度特性(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-12 300GHz帯無線システムを用いた14Gbps伝送実験(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- PLCプラットフォームを使用した10Gb/s級ハイブリッド集積光受信サブモジュール
- C-14-6 光技術により発生した低コヒーレンス・テラヘルツ波の特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-5 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(2) : キャリア・ノイズ比が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-4 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(1) : 変調度が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
- Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-33 ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- C-3-9 DP-QPSK信号復調用ヘテロジニアス集積型受光デバイス(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- C-4-14 高感度APD-ROSAの25-/40-Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ED2012-107 サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-24 ダイナミックレンジ拡大に向けた25-Gbit/s級InAIAsアバランシェフォトダイオードの低利得動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-29 DP-QPSK信号受信用ヘテロジニアス集積型PLCの小型高機能化(C-3.光エレクトロニクス)
- C-4-14 反転型アバランシェフォトダイオードの高速・高感度化技術(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)