C-3-29 DP-QPSK信号受信用ヘテロジニアス集積型PLCの小型高機能化(C-3.光エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-03-05
著者
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
田村 宗久
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
青笹 真一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
那須 悠介
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
-
青笹 真一
日本電信電話株式会社nttアクセスサービスシステム研究所
-
倉田 優生
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話
-
綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
水野 隆之
日本電信電話株式会社
-
笠原 亮一
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
田村 宗久
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
水野 隆之
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
倉田 優生
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
那須 悠介
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
青笹 真一
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
関連論文
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- C-3-4 波面整合法によるAWGのモード変換損失低減(導波路解析・設計,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-45 波面整合法による導波路交差の狭角度化(導波路解析・設計(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-22 波面整合法によるY分岐型導波路の分岐比安定化(C-3. 光エレクトロニクス(光伝搬理論・解析), エレクトロニクス1)
- C-3-21 波面整合法による光回路合成 : 塗りつぶし設計の提案(C-3. 光エレクトロニクス(光伝搬理論・解析), エレクトロニクス1)
- C-4-2 マイクロ波入出力線路構造を有するn-InP基板上40Gbps EA変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-5 低非線形フツリン酸ガラスファイバを用いたL帯EDFAの4光波混合抑圧(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- 可視光を用いたHAFコードの心線対照方法の提案と基本検討
- C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-13 SLD光源を用いた高画質ミリ波イメージング(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-7 ゼロバイアス送受信器による300GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-110 テルライトフォトニッククリスタルファイバにおけるエルビウムの増幅作用による非線形効果の増強(C-3. 光エレクトロニクス(ホーリーファイバ), エレクトロニクス1)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-14-4 フォトダイオードをダウンコンバータに利用した300GHz帯ホモダイン検波システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- C-14-9 インコヒーレントノイズ源を用いたミリ波イメージングシステム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-3 フォトニクス技術を用いた300 GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-3-1 光周波数コム発生器を用いた10-110GHz周波数可変ミリ波発生
- 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
- 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
- C-4-23 マイクロ波反射制御回路を用いたEA変調器の高性能化(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- S帯分布ラマン増幅とTDFAを用いた超高速伝送システム構成法の検討(40Gb/s伝送技術,OTDM技術,高速伝送技術,一般)
- C-3-34 1480-1510nm帯高濃度Tm添加光ファイバ増幅器
- 1480-1510nm帯高濃度Tm添加光ファイバ増幅器
- 1480-1510nm帯高濃度Tm添加光ファイバ増幅器
- C-3-43 1470nm帯Tm添加光ファイバ増幅器のWDM信号増幅特性
- 単一モードホールアシストファイバコードを用いた所内光配線の高信頼化
- C-14-14 インコヒーレントテラヘルツ波発生の高効率化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-3-48 集積型コヒーレント受信光フロントエンドモジュール技術(光フロントエンド,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-18 ドライエッチングによる石英系平面光波回路内への低損失垂直光路変換ミラー作製(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-36 高濃度Tm添加TDFAの高入力時WDM増幅特性
- 1480-1510nm帯高濃度Tm添加光ファイバ増幅器
- 高濃度Tm^添加光ファイバ増幅器の増幅特性
- C-3-36 E帯ツリウム添加光ファイバ増幅器(光増幅器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 利得クランプと励起光パワー制御を組み合わせたツリウム添加光ファイバ増幅器の新制御法(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 利得クランプと励起光パワー制御を組み合わせたツリウム添加光ファイバ増幅器の新制御法(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 利得クランプと励起光パワー制御を組み合わせたツリウム添加光ファイバ増幅器の新制御法(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 利得クランプと励起光パワー制御を組み合わせたツリウム添加光ファイバ増幅器の新制御法(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 利得クランプと励起光パワー制御を組み合わせたツリウム添加光ファイバ増幅器の新制御法
- 利得クランプと励起光パワー制御を組み合わせたツリウム添加光ファイバ増幅器の新制御法
- S帯ツリウム添加光ファイバ増幅器の新規利得スペクトル制御法
- SC-4-3 広帯域光ファイバアンプ
- C-3-69 TDF-EDF 直列接続型広帯域ハイブリッドファイバアンプ
- C-3-68 高濃度 Tm 添加 TDFA における温度変動時の利得制御
- C-14-15 ショットキーバリアダイオードを用いたテラヘルツ連続波分光イメージングシステムの高速化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-3-34 2.5%-Δ導波路を用いた超小型アサーマルAWGモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-24 HAFを用いた次世代所内光配線用コード(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- B-5-224 60GHz帯モノリシック光・ミリ波エミッターの広帯域化
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- SC-2-8 EA変調器及びEA変調器集積DFBレーザの高速化と低電圧化
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (光エレクトロニクス)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (フォトニックネットワーク)
- 導波路型単一走行キャリアフォトダイオードを用いたミリ波の光伝送
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- C-14-13 300GHz帯無線リンクにおけるダイオード受信器の感度特性(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-12 300GHz帯無線システムを用いた14Gbps伝送実験(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-4-1 0.79 V動作40-Gbit/s電界吸収型変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- PLCプラットフォームを使用した10Gb/s級ハイブリッド集積光受信サブモジュール
- C-14-6 光技術により発生した低コヒーレンス・テラヘルツ波の特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-5 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(2) : キャリア・ノイズ比が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-4 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(1) : 変調度が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-33 ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-57 高信頼性石英-LiNbO_3ハイブリッド変調器の設計と評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- C-3-9 DP-QPSK信号復調用ヘテロジニアス集積型受光デバイス(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス
- C-4-14 高感度APD-ROSAの25-/40-Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ED2012-107 サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-24 ダイナミックレンジ拡大に向けた25-Gbit/s級InAIAsアバランシェフォトダイオードの低利得動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-29 DP-QPSK信号受信用ヘテロジニアス集積型PLCの小型高機能化(C-3.光エレクトロニクス)
- C-4-14 反転型アバランシェフォトダイオードの高速・高感度化技術(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)