低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)

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概要

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• 駆動電圧が0.79Vと小さいながら、10.5dBのRF消光比を示す40-Gbit/s InGaAlAs/InAlAs電界吸収型変調器を製作した。このデバイスは、46GHzの-3dB帯域を示した。急峻な消光特性を有する歪補償InGaAlAs/InAlAs MQW層を使用し、変調部を長くすることによって、駆動電圧の大幅な低減が実現されている。また、MQWコア幅を減少させ、低誘電率のポリイミドで埋め込み、低損失マイクロ波入出力線路を用いることにより、帯域を最大化するデバイス構造設計が図られ、駆動電圧/帯域で表される性能指標は、トップデータを示した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-10-28

著者

• 山中 孝之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 近藤 康洋

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 田村 宗久

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 深野 秀樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 深野 秀樹

  NTTフォトニクス研究所

• 田村 宗久

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

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