SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
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概要
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100Gb/sを超える大容量光源の実現を目指し,直接変調レーザのモノリシックアレイ集積の検討を行った.同一基板に作製した素子を差動25.8Gb/sで駆動する条件での動作波長範囲拡大の検討を行った.アレイ光源での差動駆動実現のためSI基板に素子を作製した.微分利得と緩和振動周波数の増大を目指し,InGaAlAsの活性層を用い,共振器長を200μmとした.動作波長範囲の拡大の為にデチューニング量に着目し,駆動条件下において5nm以下になるように波長設計した.その結果,30nmの波長範囲でE/O 3dB帯域20GHz以上,差動駆動25.8Gb/sの明瞭なアイ開口,エラーフリー動作を確認した.
- 2014-01-16
著者
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
大礒 義孝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
三条 広明
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
-
都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
進藤 隆彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
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