山中 孝之 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山中 孝之
NTTフォトニクス研究所
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都築 健
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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小林 亘
NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
NTTフォトニクス研究所
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狩野 文良
Nttフォトニクス研究所
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狩野 文良
Ntt
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狩野 文良
NTTフォトニクス研
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
藤澤 剛
NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都築 健
NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
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藤原 直樹
NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
Nttフォトニクス研究所
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近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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三条 広明
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所:(現)東京電機大学
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赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深野 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
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深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTTフォトニクス研
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊藤 敏夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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田村 宗久
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
田村 宗久
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒井 昌和
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健志
Nttフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTフォトニクス研
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大礒 義孝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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川口 悦弘
Nttフォトニクス研究所日本電信電話株式会社
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三条 弘明
NTTフォトニクス研究所
-
金井 拓也
日本電信電日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
田所 貴志
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
-
下小園 真
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
川口 悦弘
NTTフォトニクス研
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大橋 弘美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
布谷 伸浩
Nttフォトニクス研究所
-
金澤 慈
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
布谷 伸浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究会
-
進藤 隆彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 亘
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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藤原 直樹
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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藤澤 剛
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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都築 健
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
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田所 貴志
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
狩野 文良
(株)日本電信電話NTTフォトニクス研究所
-
柴田 泰夫
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 啓之
NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
NTTフォトニクス研究所
-
齊藤 正
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大木 明
NTTフォトニクス研究所
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近藤 康洋
NTTエレクトロニクス
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
-
高畑 清人
NTTフォトニクス研究所
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三条 広明
Ntt未来ねっと研究所
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金澤 慈
NTTフォトニクス研究所
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石井 啓之
NTT光エレクトロニクス研究所
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上田 悠太
NTTフォトニクス研究所
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石川 光映
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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岡本 浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
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八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
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八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
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石井 啓之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
須崎 泰正
NTT光エレクトロニクス研究所
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佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
近藤 進
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:新潟国際情報大学
-
須崎 泰正
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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奥 哲
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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竹内 博昭
NTTエレクトロニクス(株)
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神徳 正樹
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究
-
藤浬 剛
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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荒井 昌和
NTT東日本
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野口 悦男
NTT光エレクトロニクス研究所
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竹内 博昭
Nttエレクトロニクス株式会社
-
大橋 弘美
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
赤毛 勇一
NTTエレクトロニクス株式会社
-
都築 健
NTTエレクトロニクス株式会社
-
野口 悦男
NTTエレクトロニクス株式会社
-
齋藤 正
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
野口 悦男
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス株式会社
-
満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
小木曽 義弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
金井 拓也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
布谷 伸浩
話株式会社NTTフォトニクス研究所
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下小 園真
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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神徳 正樹
日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所
著作論文
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-2 マイクロ波入出力線路構造を有するn-InP基板上40Gbps EA変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s, シングルモードファイバ40km伝送
- C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-23 マイクロ波反射制御回路を用いたEA変調器の高性能化(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25 Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 100 Gbit/sイーサネット用の1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3/1.55μm EADFBレーザ搭載TO-CANモジュールの40Gb/s動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-16 低チャープ動作の40Gbit/s EA-DFBモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- SC-9-4 半導体埋込層を有する電界吸収型 (EA) 変調器のマイクロ波・光変調シミュレーション
- SC-9-4 半導体埋込層を有する電界吸収型 (EA) 変調器のマイクロ波・光変調シミュレーション
- SC-2-8 EA変調器及びEA変調器集積DFBレーザの高速化と低電圧化
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-1 0.79 V動作40-Gbit/s電界吸収型変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-20 TO-CANパッケージ搭載1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの43Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 1.3μm InGaAIAsリッジ型直接変調レーザの50Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-3 狭間隔波長可変分布活性(TDA-)DFBレーザアレイによる高速(
- CS-5-2 多粒子系の量子力学に基づく半導体量子構造光学特性解析技術(CS-5.光導波路・光デバイスシミュレーション技術の最新動向と今後の展望)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高速高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
- C-4-19 高速な高精度波長切替を実現する狭間隔波長可変分布活性DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm InGaAlAs直接変調レーザの高速50Gb/s動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)