深野 秀樹 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
深野 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山中 孝之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
田村 宗久
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
田村 宗久
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
板屋 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
東盛 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山本 〓夫
Nttエレクトロニクス(株)
-
満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
山本 〓夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT光ネットワークシステム研究所
-
東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
-
杉江 利彦
NTT光エレクトロニクス研究所
-
須崎 泰正
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
-
和田 正人
NTT光エレクトロニクス研究所
-
界 義久
NTT光エレクトロニクス研究所
-
赤毛 勇一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
齊藤 正
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
赤毛 勇一
NTTフォトニクス研究所
-
界 義久
NTTフォトニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岡本 稔
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
八坂 洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
須崎 泰正
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
三冨 修
NTT光エレクトロニクス研究所
-
八坂 洋
NTT光ネットワークシステム研究所
-
八坂 洋
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
-
佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
-
岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健志
Nttフォトニクス研究所
-
横山 清行
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
川口 悦弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
岡本 浩
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中尾 正史
Ntt 光エレクトロニクス研究所
-
東盛 裕一
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
山本 〓夫
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
板屋 義夫
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
松本 信一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
三富 修
NTT光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
中尾 正史
NTT光エレクトロニクス研究所
-
大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
笠谷 和生
NTTフォトニクス研究所
-
鳥羽 弘
NTT光エレクトロニクス研究所
-
門田 好晃
NTT光エレクトロニクス研究所
-
笠谷 和生
NTT光エレクトロニクス研究所
-
和田 正人
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
関 俊司
NTT光エレクト ロニクス研究所
-
植木 峰雄
NTT光エレクトロニクス研究所
-
岸 健二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
門田 好晃
Nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス
-
深野 秀樹
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
関 俊司
NTTフォトニクス研究所
著作論文
- Butt-Joint型選択成長スポットサイズ変換付き1.3μmLD
- C-4-2 マイクロ波入出力線路構造を有するn-InP基板上40Gbps EA変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-23 マイクロ波反射制御回路を用いたEA変調器の高性能化(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- スポットサイズ変換付き1.3μmLDの結合特性
- 1.3μm Butt-Joint型スポットサイズ変換LDの温度特性改善のための検討
- 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-10 高感度2.3μm光検出新構造フォトトランジスタ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm帯水平テーパ活性層型ラージスポットサイズレーザ
- C-4-16 低チャープ動作の40Gbit/s EA-DFBモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- SC-9-4 半導体埋込層を有する電界吸収型 (EA) 変調器のマイクロ波・光変調シミュレーション
- SC-9-4 半導体埋込層を有する電界吸収型 (EA) 変調器のマイクロ波・光変調シミュレーション
- スポットサイズ変換レーザ
- スポットサイズ変換レーザ
- C-4-1 0.79 V動作40-Gbit/s電界吸収型変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 低駆動電圧動作の40Gbit/s電界吸収型変調器(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ
- 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ