1.3μm帯水平テーパ活性層型ラージスポットサイズレーザ
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概要
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半導体レーザからの出射光のスポットサイズの拡大を図り、レンズ系なしに光ファイバ等と高い結合効率を実現する種々のテーパ構造を有するスポットサイズ変換導波路付の素子が提案、試作されている。これらの素子では、通常のレーザ製作プロセスに加えてテーパ構造形成のためのプロセスが必要であり、また、付加導波路により素子長も500μm以上程度以上ある。今回、我々は、低コスト化を指向して、水平方向テーパ導波路構造を1.3μm帯歪MQW活性層に適用し、通常のBHレーザ製作プロセスと同一工程で素子を試作し、良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
横山 清行
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
東盛 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
-
界 義久
NTT光エレクトロニクス研究所
-
深野 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
笠谷 和生
NTTフォトニクス研究所
-
深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
-
東盛 裕一
Ntt フォトニクス研究所
-
門田 好晃
NTT光エレクトロニクス研究所
-
笠谷 和生
NTT光エレクトロニクス研究所
-
界 義久
NTTフォトニクス研究所
-
植木 峰雄
NTT光エレクトロニクス研究所
-
門田 好晃
Nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス
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