偏波無依存ゲート型光スイッチ
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概要
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ゲート型半導体光スイッチ(ゲートスイッチ)は高いON/OFF比、高い利得を持つことから光情報処理に有望なデバイスである。一方、長距離単一モードファイバを通過した光の偏波は時間的に変動することから、ゲートスイッチの偏波無依存化が求められている。ゲートスイッチの活性層構造の1つとしてダブルヘテロ構造(DH)があり、偏波無依存化するには水平と垂直方向の光閉じ込め係数(Γ)を等価にすること、即ち、活性層幅を光学的に等価にすることが必要である。活性層幅を狭くし、TM発振レーザが作製できれば偏波無依存ゲートスイッチは作製可能となる。今回、我々は狭活性層幅でTM発振レーザを実現するとともに、ゲートスイッチの偏波無依存化へ向け検討を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
玉村 敏昭
NTT光エレクトロニクス研究所
-
玉村 敏昭
Ntt 光エレクトロニクス研究所
-
岡本 稔
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
-
山本 〓夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹下 達也
NTT光エレクトロニクス研究所
-
曲 克明
NTT光エレクトロニクス研究所
-
永沼 充
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹下 達也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山本 〓夫
Nttエレクトロニクス(株)
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