MQW光変調器/半導体レーザ集積化光源による短光パルスの発生と制御
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概要
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単一基板上に2個の強度変調器とDFBレーザをモノリシックに集積した素子を作製し、繰り返し周波数10GHz、幅17psの光パルス列を発生させ、10Gb, sのディジタル信号電圧で符号化することに成功した。また、単一基板上に強度変調器とレーザを集積した長さ2.5mmの試料より、高速光変調器に光ゲート機能を持たせて能動モード同期レーザを作製し、繰り返し周波数16.3GHzで幅2psの短光パルスを発生させた。これら素子には歪InGaAsP/InGaAsP多重量子井戸構造をレーザ活性層、変調器導波層の2層コア部に採用して高効率、高速化を図り、光ソリトンデータ伝送用のワンチップ送信器として有力であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-06-23
著者
-
高田 篤
NTTネットワークサービスシステム研究所
-
近藤 康洋
NTT光エレクトロニクス研究所
-
山本 みつ夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
佐藤 憲史
NTT光エレクトロニクス研究所
-
脇田 紘一
中部大学(元ntt光エレクトロニクス研究所)
-
脇田 紘一
Ntt
-
小高 勇
NTT光エレクトロニクス研究所
-
脇田 紘一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
高田 篤
NTT伝送システム研究所
-
高田 篶
Ntt光ネットワークシステム研究所
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