高速・低電圧MQW光変調器の低挿入損失化
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概要
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多重量子井戸構造を用いた吸収形光強度変調器は, 偏波無依存・低駆動電圧・高速性は達成され, 挿入損失の低減が残された課題である。従来より, 高速化にはポリイミド埋込ハイメサ構造が必須と思われてきたが, ハイメサ構造では工程上ストライプ幅を狭くできず導波モードの対称性もよくない。今回, 高効率変調に適したInGaAs/InAIAs MQW構造を半絶縁性InPで埋込み, 光変調器の横モードを安定化とともに挿入損を5 dBにできたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
吉野 薫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
岸 健志
Nttフォトニクス研究所
-
松本 信一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
岸 健志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
吉本 直人
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
吉本 直人
Nttフォトニクス研究所
-
近藤 進
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:新潟国際情報大学
-
野口 悦男
NTT光エレクトロニクス研究所
-
脇田 紘一
中部大学(元ntt光エレクトロニクス研究所)
-
脇田 紘一
Ntt
-
小高 勇
NTT光エレクトロニクス研究所
-
脇田 紘一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 進
NTT光エレクトロニクス研究所
-
野口 悦男
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス株式会社
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