InGaAlAs/InAlAs MQW半導体導波路形光スイッチモジュールの動特性評価
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概要
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近年、InGaAlAs/InAlAs MQWの量子閉じ込めシュタルク効果を利用した、高速かつ低電圧駆動が可能な光スイッチの研究が盛んに行われている。今回、2×2および4×4半導体導波路形光スイッチモジュールについて動特性を測定し、良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
吉本 直人
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
吉本 直人
Nttフォトニクス研究所
-
伊藤 敏夫
NTT光エレクトロニクス研究所
-
神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
-
関根 聡
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
Nttフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
NTT光エレクトロニクス研究所
-
近藤 進
NTT光エレクトロニクス研究所
-
河野 健治
Ntt 光エレクトロニクス研
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