半導体ハイメサ導波路における、高次漏洩モードの伝播の抑制とそのAWG特性の改善に及ぼす効果
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概要
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光回路の小型化の為に、高い比屈折率差を有する導波路が用いられるようになっている。これらの導波路では、最小曲げ半径を小さくできる反面、高次の漏れモードが発生しやすく、良好な素子特性を実現するために高次モードの制御が不可欠である。本報告では、半導体ハイメサ導波路における、高次漏洩モードの伝播を抑制するための導波路パラメータの解析結果について報告するとともに、実験的に高次漏洩モードの伝播抑制を行い、半導体AWGの特性にどのような効果を及ぼすかについて検討を行い、分波特性を改善できたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-17
著者
-
吉國 裕三
NTTフォトニクス研究所
-
吉村 了行
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
奥 哲
NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
奥 哲
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
広野 卓夫
Nttフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
-
吉國 裕三
NTT光エレクトロニクス研究所
-
吉国 裕三
Nttフォトニクス研究所
-
吉国 裕三
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
吉村 了行
Nttフォトニクス研究所
-
門田 好晃
NTTエレクトロニクス
-
吉國 裕三
日本電信電話株式会社ntt光エレクトロニクス研究所
-
門田 好晃
Nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス
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