3次元フォトニック結晶へのIIIV族化合物半導体活性層の埋込み
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概要
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InP基板上で, 横方向を自己クローニングにより形成したSi / SiO_23次元フォトニック結晶で閉じ込められた領域にIIIV族化合物半導体活性層をMBEにより選択成長させるプロセス技術を開発・実証した.フォトニック結晶層を面内で横方向に伝搬した自然放出光には偏波依存性が確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-25
著者
-
倉持 栄一
NTT物性科学基礎研究所
-
奥 哲
NTTフォトニクス研究所
-
川上 彰二郎
東北大学電気通信研究所
-
花泉 修
東北大学電気通信研究所
-
花泉 修
群馬大学大学院工学研究科
-
相澤 芳三
東北大学電気通信研究所
-
倉持 栄一
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
倉持 栄一
Ntt物性研
-
桜井 康樹
東北大学電気通信研究所
-
奥 哲
Ntt フォトニクス研
-
倉持 栄一
Ntt物性基礎研:jst-crest
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