化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は、2次元フォトニック結晶(PhC)をプラットフォームとする超小型光共振器に着目し、siをベースとするPhCにおいて極めて低パワーで動作する全光メモリを実現している。しかし、共振器で発生する熱の影響により、メモリ時間時間が数nsと極めて短いという問題があった。今回我々はこの問題を解決するため、Siに変わるPhcを開発し、AlGaAsとInGaAsPを用いた超高Q-PhCナノ共振器において、それぞれ690,000,130,000の世界最高レベルの共振器Q値を達成した。また、AlGaAs-PhC共振器のメモリ保持時間は理論的には無限、InGaAsP-PhC共振器においては最長150nsのメモリ時間を達成し、Si-PhC共振器のメモリ時間を飛躍的に延長することに成功した。さらにInGaAsP-PhC共振器において、メモリ保持に必要な最低光バイアスパワが40μW、メモリをON状態に移行させるための光パルスエネルギーが30fJと極めて低パワー・低エネルギーで動作可能であることを確認した。
- 2008-06-20
著者
-
納富 雅也
NTT物性基礎研
-
新家 昭彦
NTT物性科学基礎研究所
-
松尾 慎治
NTTフォトニクス研究所
-
田辺 孝純
NTT物性科学基礎研究所
-
倉持 栄一
NTT物性科学基礎研究所
-
佐藤 具就
NTTフォトニクス研究所
-
硴塚 孝明
NTTフォトニクス研究所
-
舘野 功太
NTT物性科学基礎研究所
-
俵 毅彦
NTT物性科学基礎研究所
-
硴塚 孝明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
舘野 功太
NTTフォトニクス研究所
-
舘野 功太
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
俵 毅彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
納富 雅也
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
倉持 栄一
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
倉持 栄一
Ntt物性研
-
田辺 孝純
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
新家 昭彦
Ntt物性基礎研究所
-
納富 雅也
Ntt物性基礎研究所
-
舘野 功太
Ntt物性基礎研
-
倉持 栄一
Ntt物性基礎研:jst-crest
関連論文
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 22pTR-13 フォトニックアモルファスダイヤモンドにおける3次元フォトニックギャップ形成(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
- 22pTR-13 フォトニックアモルファスダイヤモンドにおける3次元フォトニックギャップ形成(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 1×4 InGaAsP/InP多モード干渉導波路型光スイッチの動的スイッチング特性(フォトニックネットワーク・システム,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,WDM技術,マルチレイヤ・クロスレイヤ,次世代トランスポート(高速Ethernet,ASON/OTN),一般)
- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-14 周波数変調型SSG-DBRレーザと波長フィルタを用いた送信素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 半導体二重リング共振器を用いた波長可変レーザとその展開(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- BCS-2-7 周波数変調レーザと光フィルタリングを用いた高速長距離伝送技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CS-6-7 InGaAsPフォトニック結晶ナノ共振器を用いた低消費エネルギー・超小型光ビットメモリ(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- B-12-11 マルチキャストリング型WDM/ATM分配選択型ネットワーク
- 20pXK-8 単一原子検出用フォトニック結晶共振器の設計(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- ラダー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- ラダー型フィルターとリング共振器を用いた波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討
- B-12-5 光パケットスイッチを入力段に用いた大容量ルータ構成法の提案
- 2段構成ディジタル再生型フリースペース光スイッチの実験
- 面形光スイッチ(EARS)の素子動作特性
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-9 アクティブMMIを用いた異モード間双安定レーザーの広ヒステリシス幅の実現(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- BCS-2-7 周波数変調レーザと光フィルタリングを用いた高速長距離伝送技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-4-11 アクティブMIMIによる広ヒステリシス幅双安定レーザー(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 面形OEICを用いたSmart Pixel : MQW変調器ベースと面発光レーザベースの比較
- SOI基板を用いた酸化物クラッド2次元フォトニック結晶
- SC-4-2 SiフォトニクスにむけたSi系フォトニック結晶
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- Siフォトニクスに向けたSi系フォトニック結晶材料
- 横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 横モード間双安定を用いたアクティブMMIによる光RAM用2bit集積メモリ素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-22 Active MMI双安定レーザーを用いた光RAM用2bit集積メモリ素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ラダー型フィルターとリング共振器を用いた波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- B-12-12 1×4 InGaAsP/InP多モード干渉導波路型スイッチの光増幅器の集積化による無損失化(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- レンズ列導波路構造を持つアクティブアライメント型ボード間フリースペース光インタコネクション
- シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,光物性)
- C-4-5 MZ変調器をモノリシック集積した波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 通信放送融合網を指向した双方向型マルチキャスト/ユニキャストハイブリッドネットワークの提案
- 分配選択型WDMシステム(SECURECAST)における外部IPネットワークとの通信手順の検討
- 分配選択型WDMシステム(SECURECAST)におけるセキュリティを考慮した通信手順の検討
- 27aXP-3 二次元フォトニッククリスタルスラブ中のダイポールからの発光特性(領域5, 領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 27pXP-3 二次元フォトニッククリスタルスラブ中のダイポールからの発光特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15pTG-2 フォトニッククリスタルスラブ構造からの発光の解析(量子エレクトロニクス, 領域 1)
- 半導体リング共振器を用いた高速波長可変フィルタ
- 半導体リング共振器を用いた高速波長可変フィルタ
- 半導体リング共振器を用いた高速波長可変フィルタ
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- C-4-12 光RAM用Active MMI双安定レーザーの低電流動作化の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 異モード間双安定アクティブMMIを用いた光RAM素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 異モード間双安定アクティブMMIを用いた光RAM素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 異モード間双安定アクティブMMIを用いた光RAM素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- IPRM2008報告(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- IPRM2008報告(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- OFC/NFOEC2006速報 : 光デバイス関連(大容量伝送技術,超高速伝送技術,ラマン増幅技術,一般,OFC/NFOEC報告)
- C-3-34 横モード間双安定動作型アクティブMMI双安定レーザーの設計(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-32 光RAM用集積メモリ素子のファイバアレイ光結合に関する予備的検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ナノプリント技術と有機機能性フォトニック結晶
- CI-2-8 超低消費電力フォトニック結晶レーザ(CI-2.家庭内ネットワーク〜インターコネクションに向けた短距離・高速光通信用デバイス・コンポーネント技術,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- C-3-31 光RAMバッファアドレス用InGaAsP/InP多モード干渉型光スイッチ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-35 横モード間双安定動作型アクティブMMI双安定レーザーの低閾値電流(39mA)動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討
- 25aHB-9 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aHB-9 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- C-3-44 単一波長アクティブMIMI双安定レーザーの全光ON-OFF動作(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 23pTN-7 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 23pTN-7 フォトニック・アモルファス・ダイヤモンドにおける光禁制帯形成と光局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- C-3-75 フォトニック結晶導波路スローライトによる高分解能可変遅延とその応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 光の断熱波長変換と共振器オプトメカニクス : 二層型フォトニック結晶を例に
- 光集積技術としてのフォトニック結晶
- 24aAC-5 誘電体球で構成したPAD構造における光禁制帯形成(24aAC 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・超イオン導電体,領域5(光物性))
- 24aAC-5 誘電体球で構成したPAD構造における光禁制帯形成(24aAC 領域5,領域1合同フォトニック結晶・超イオン導電体,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 電流注入フォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 28pPSB-66 フォトニック結晶連結共振器における強束縛モード分散の観測(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))