低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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フォトニック結晶スラブ導波路の伝播損失の低減化に努め,作製したSi1列抜きエアブリッジ構造において5dB/cmの低伝播損失を達成した.その作製にあたっての電子線リソグラフィーの高精度化,測定方法,および測定結果について報告する.またフォトングリーン関数法による電磁界解析により測定された伝播損失特性をほぼ説明することに初めて成功したことについても触れる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-15
著者
-
納富 雅也
NTT物性基礎研
-
新家 昭彦
NTT物性科学基礎研究所
-
倉持 栄一
NTT物性科学基礎研究所
-
渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
Hughes Stephen
Ntt物性科学基礎研究所
-
倉持 栄一
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
倉持 栄一
Ntt物性研
-
RAMMUNO Lora
Department of Physics, University of Ottawa
-
Rammuno Lora
Department Of Physics University Of Ottawa
-
渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
新家 昭彦
Ntt物性基礎研究所
-
倉持 栄一
Ntt物性基礎研:jst-crest
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