SC-1-4 フォトニック結晶スラブを用いた PBG 導波路と PBG 共振器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-10
著者
-
土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
土澤 泰
Nttマイクロシステム研
-
倉持 栄一
日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所
-
山田 浩治
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
土澤 泰
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
渡辺 俊文
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
三木 聡
NTT物性科学基礎研究所
-
納富 雅也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
新家 昭彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
三木 聡
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
Ryu H
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
山田 浩治
Nttマイクロシステム研
-
倉持 栄一
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
山田 浩治
NTT
関連論文
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- CS-6-7 InGaAsPフォトニック結晶ナノ共振器を用いた低消費エネルギー・超小型光ビットメモリ(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- 20pXK-8 単一原子検出用フォトニック結晶共振器の設計(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- CI-2-3 シリコン細線光導波路における光非線形現象とその応用(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- プラズマ・プロセス技術
- キャリア注入型シリコンVOAと石英系AWGのモノリシック集積 (光エレクトロニクス)
- 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
- C-3-28 シリコン細線導波路プラットフォーム用偏波回転素子(半導体導波路デバイス,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコンの非線形光学効果とその応用
- シリコン細線導波路の作製およびその関連技術
- C-3-101 シリコン細線導波路による超小型広帯域偏波スプリッタ(導波路デバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 高精度X線マスクの開発 (特集論文 ここまできたX線露光技術)
- C-3-77 オンチップ光配線に向けた850nm帯用波長合分波器 2(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-76 オンチップ光配線に向けた850nm帯用波長合分波器 1(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイ オードの同期動作(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-57 VOA-PD集積デバイスを用いた高速光強度レベル制御(光スイッチ・光変調器(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコン-石英ハイブリッド熱光学スイッチによる低消費電力化 (光エレクトロニクス)
- 光電気融合に向けた極微小シリコン光デバイスと集積技術 (特集 新世代通信を拓くシリコンフォトニクス技術)
- シリコンフォトニクスによる光デバイス
- CS-7-8 シリコン光変調器技術(CS-7.変復調用集積光デバイスの現状と展望,シンポジウム)
- C-3-76 LSI光配線に向けた光導波路製作基盤技術(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- シリコン細線導波路とシリコン光機能素子 (特集 新たな地平に向かうシリコンフォトニクス)
- CS-3-10 Si細線導波路を用いた多段分岐デバイスの特性(CS-3.シリコン・フォトニクス技術の最新動向,シンポジウム)
- CS-3-4 光通信用デバイスにむけたシリコン・フォトニクス技術(CS-3.シリコン・フォトニクス技術の最新動向,シンポジウム)
- C-3-55 SiO_xN_y/シリコン偏芯二重コアを用いた偏波回転(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- CS-8-2 シリコン細線導波路を用いた波長変換(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- シリコン細線導波路システム : 基本特性と機能デバイスへの応用(導波路型光デバイス論文)
- C-3-78 シリコン細線リング共振器を用いた光-光制御の検討(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 極微小シリコン光回路の偏波無依存化技術 (特集 新世代通信を拓くシリコンフォトニクス技術)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- SC-1-4 フォトニック結晶スラブを用いた PBG 導波路と PBG 共振器
- 薄膜メンブレン上の微細パタン形成技術(最先端薄膜技術)
- C-3-59 複屈折トリミング技術を用いたシリコン-石英ハイブリッド熱光学スイッチの高消光比化(光スイッチ・光変調器(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコンをベースにした光電気融合技術 : シリコンフォトニクスによる光回路と電子回路の集積(デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
- シリコンをベースにした光電気融合技術 : シリコンフォトニクスによる光回路と電子回路の集積(全体講演,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
- 通信応用に向けたシリコンフォトニクスデバイス集積 (特集 進化するシリコンフォトニクス)
- 超低消費パワーで集積可能な光ビットメモリ--フォトニック結晶をプラットフォームとする光集積技術
- フォトニック結晶と光メモリ (特集 光メモリーとその周辺技術)
- シリコンフォトニック結晶共振器を用いた全光スイッチ及び 5GHz RZ(Return to Zero) 光パルス列変調
- シリコンフォトニック結晶共振器を用いた全光スイッチおよび 5GHz RZ (Return to Zero) 光パルス列変調
- シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- シリコンを用いた2次元フォトニック結晶スラブ構造の新展開
- フォトニック結晶導波路・共振器の高性能化 (特集 NTT物性科学基礎研究所における光研究最前線)
- CS-8-4 フォトニック結晶共振器・導波路結合系による超低エネルギー全光スイッチ及び全光メモリデバイス(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- フォトニック結晶 (2006年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (原子・分子物理,量子エレクトロニクス)
- 超高Qナノ共振器によるスローライト生成
- シリコンフォトニック結晶共振器による超小型光遅延線の実現 (特集 新世代通信を拓くシリコンフォトニクス技術)
- 光を1ナノ秒以上蓄積するフォトニック結晶共振器--光速の5万分の1の光遅延伝搬の観察 (特集 光速が遅くなったら--スローライト)
- 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21aZB-7 共振器構造を有するスラブフォトニック結晶に働く輻射圧の特性解析(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,光物性)
- 未来を拓く先端技術 フォトニック結晶による光の制御
- 27aXP-3 二次元フォトニッククリスタルスラブ中のダイポールからの発光特性(領域5, 領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 27pXP-3 二次元フォトニッククリスタルスラブ中のダイポールからの発光特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15pTG-2 フォトニッククリスタルスラブ構造からの発光の解析(量子エレクトロニクス, 領域 1)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 3-2 フォトニック結晶による全光制御の進展(3.先端光制御技術の動向,進化する先端フォトニックデバイス)
- フォトニック結晶と負の屈折 : 特異な分散が導くもの
- 27aXF-2 フォトニック結晶における負の屈折(領域5,領域1合同シンポジウム : ナノフォトニクスの物理)(領域5)
- 27aXF-2 フォトニック結晶における負の屈折(領域5,領域1合同シンポジウム : ナノフォトニクスの物理)
- SOIフォトニック結晶スラブ
- CI-1-2 通信応用にむけたシリコンナノフォトニックデバイス集積技術(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- C-3-25 シリコンリング共振器を用いたBPSK信号復調動作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 フォトニック結晶レーザによる双安定光メモリ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコン-石英ハイブリッド熱光学スイッチによる低消費電力化(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- キャリア注入型シリコンVOAと石英系AWGのモノリシック集積(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコンフォトニクス : どうやって作るの?
- 微細構造作製と機能性材料 (特集/次世代高機能材料としての無機高分子)
- Ultra Compact DPSK Demodulator using a Single Silicon Nanowire Waveguide (光エレクトロニクス)
- 10.フォトニック結晶によるfJ/bit集積ナノフォトニクス(ナノデバイス)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積 (光エレクトロニクス)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積 (電子部品・材料)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積 (機構デバイス)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積 (信頼性)
- C-3-42 折り畳み構成を用いたシリコン熱光学スイッチの低消費電力化(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 単一Si細線導波路を用いた超小型DPSK復調器(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
- C-3-49 Si細線導波路の偏波群遅延差を用いたDPSK復調(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-3-5 石英・シリコン融合導波路プラットフォームによる高密度・高機能フォトニック集積(CI-3.通信システム・光配線システム応用にむけた高密度集積フォトニックプラットフォーム,依頼シンポジウム)
- C-3-75 フォトニック結晶導波路スローライトによる高分解能可変遅延とその応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- フォトニック結晶ナノ共振器による光ランダムアクセスメモリの研究
- p-i-n接合フォトニック結晶微小光共振器による全シリコンフォトディテクタ
- 光の断熱波長変換と共振器オプトメカニクス : 二層型フォトニック結晶を例に
- 光集積技術としてのフォトニック結晶
- 単一Si細線導波路を用いた超小型DPSK復調器
- C-3-3 石英およびシリコン導波路における熱光学スイッチの低消費電力化(光スイッチ(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 埋込み活性層を有するフォトニック結晶レーザの高温動作特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 28pPSB-66 フォトニック結晶連結共振器における強束縛モード分散の観測(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))