モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイ オードの同期動作(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
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概要
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モノリシクに集積したGe p-i-nフォトダイオード(PD)とSi可変光減衰器(VOA)に関する研究を行った。Ge PDは逆バイアス1Vで60nA程度の暗電流と0.85A/Wの感度を示した。Si VOAはRib型-導波路にp-i-n構造で形成されコアに相当するi領域に電流を注入することによって、自由キャリア吸収(Free carrier absorption)を誘起し透過光量を制御する。Ge PDはおよそ1GHzの帯域幅を示し、Si VOAは数ナノ秒の反応速度を示した。これらを集積したデバイスでSi VOAとGe PDが100MHzの伝送速度で同期動作することを確認した。このようなGe PD、Si VOAがモノリシクに集積されたデバイスは、今後様々な応用が期待される。
- 2009-12-11
著者
-
土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
西 英隆
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山田 浩治
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
篠島 弘幸
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
板橋 聖一
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
西 英隆
Nttマイクロシステム研
-
土澤 泰
Nttマイクロシステム研
-
篠島 弘幸
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
朴 成鳳
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
石川 靖彦
東京大学工学部マテリアル工学専攻
-
和田 一美
東京大学工学部マテリアル工学専攻
-
山田 浩治
Nttマイクロシステム研
-
石川 靖彦
東大院工
-
和田 一実
東大院工
-
篠島 弘幸
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
朴 成鳳
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
山田 浩治
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
西 英隆
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
板橋 聖一
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
山田 浩治
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:NTT Microsystem Integration Laboratories
-
石川 靖彦
東京大学大学院工学系研究科
-
山田 浩治
NTT
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