低温作製石英系導波路の偏波無依存化(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
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概要
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SOI基板上にシリコン(Si)導波路デバイスとモノリシック集積可能で、かつ偏波依存性の小さいシリコン酸化物(SiO_x)導波路を開発した。本研究では、SiO_x導波路の低温作製プロセスによる応力複屈折を補償するために、多層コア構造を導入した。まず,基板吸収損失低減やスポットサイズ変換器での変換損失低減など,Si導波路と集積する観点から多層コア構造の設計を行った。設計に基づき、実際に低温プロセスでSiO_x導波路とアレイ導波路解説格子を作製し、評価を行った。その結果、多層コア構造を導入したSiO_x導波路において、導波路複屈折が低減できていることを確認した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-12-14
著者
-
西 英隆
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山田 浩治
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
板橋 聖一
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
土澤 泰
Ntt
-
篠島 弘幸
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山田 浩治
NTT LSI研
-
高 磊
NTTマイクロシステムインテグレーション研
-
篠島 弘幸
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
西 英隆
Nttマイクロシステムインテグレーション研
-
西 英隆
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:NTTナノフォトニクスセンタ
-
福田 浩
NTT MI研:NTT NPC
-
高 磊
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
篠島 弘幸
久留米高専
-
板橋 聖一
NTT-AT
-
渡辺 俊文
NTT-AT
-
山田 浩治
NTT
-
西 英隆
NTT
-
福田 浩
NTT
-
高 磊
NTTナノフォトニクスセンタ
-
高 磊
NTT
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