シリコンフォトニクス : 高密度光電子融合プラットフォーム(Vailワークシショップ講演からの報告,イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)
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概要
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シリコン(Si)電子回路の製造技術を遺伝子に持つSiフォトニクス技術は、量産性、経済性に優れた超小型高密度光電子融合プラットフォームを提供する近未来技術である。既に、Siフォトニクス技術により波長フィルタ、変調器、受光器などの要素デバイスの動作は確認され、これら光デバイスの高密度モノリシック集積が可能となっている。さらに光源や電子回路との集積も進展しつつある。当該技術により実現が期待される超小型高密度光電子融合モジュールは、情報流通システムの経済化と環境負荷の低減に大きく寄与するであろう。しかしながら、Siの材料特性やSiデバイス製造技術の現状を考慮すると、これらのメリットはデバイス特性とのトレードオフになっている。そこで本稿では、Siフォトニクス技術の特徴や現在の到達点の確認を通じ、その長所短所を明らかにし、高密度光電子融合プラットフォームとして成就するために必要な技術的課題や応用方針について議論する。
- 2013-09-23
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