ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDのSiプラットフォーム上モノリシック集積(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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ECRプラズマCVD法による低温石英膜作製技術を用いて、Si光集積プラットフォーム上に石英系AWGとGePDのモノリシック集積デバイスを作製した。集積したAWGによって全16chの分波に成功し、全出力chに接続されたGePDにおいて1.25Gbps PRBS信号受信と良好なアイ開口が得られることを確認した。さらに、作製した光デバイス上に多チャネルトランスインピーダンスアンプ回路のフリップチップボンディングを行い、将来のワンチップWDMレシーバに向けた光電子集積デバイスの可能性について検討した。
- 2012-08-16
著者
-
西 英隆
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山田 浩治
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
西 英隆
Nttマイクロシステム研
-
土澤 泰
Nttマイクロシステム研
-
山田 浩治
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
土澤 泰
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
西 英隆
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
石川 靖彦
東大院工
-
福田 浩
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
山田 浩治
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:NTT Microsystem Integration Laboratories
-
西 英隆
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:NTTナノフォトニクスセンタ
-
石川 靖彦
東京大学大学院工学系研究科
-
高 磊
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
開 達郎
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
石川 靖彦
東京大学マテリアル工学専攻
-
和田 一実
東京大学マテリアル工学専攻
-
開 達郎
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
西 英隆
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
土澤 泰
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
-
山田 浩治
NTT
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